EPCOS / TDK 슬림 라인 과도 전압 억제기 다이오드

EPCOS/TDK 슬림 라인 TVS(과도 전압 억제기) 다이오드는 하나의 I/O 라인에 양방향 ESD(정전기 방전) 보호 기능을 제공합니다. 이러한 장치는 낮은 클램핑 전압, 낮은 누설 전류 및 빠른 반응 시간을 제공합니다. 초저 정전용량은 USB 3.1, HDMI, 디스플레이포트, 썬더볼트와 같이 까다로운 고속 인터페이스에 탁월한 신호 무결성을 지원합니다. EPCOS/TDK 슬림 라인 TSV 다이오드는 SMD 패키지와 -40~+125°C의 넓은 주변 온도 범위를 갖춘 범용 및 초저 클램핑 변형으로 제공됩니다. ° 이 TVS 다이오드는 스마트폰, 진정한 무선 이어버드, 스마트워치 및 공간 요구 사항이 엄격한 기타 많은 웨어러블 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

B74121G0050M060(범용)
- WL-CSP0201 케이스
- 0.6mm x 0.3mm x 0.15mm 크기
- +5V 최대 역방향 작동 전압(V_RWM)
- 6~8V 항복 전압(V_BR)
- 2nA(표준) 역 누설 전류(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1)에서 7.2V 클램핑 전압
- I_TLP = 16A (V_C2)에서 8.0V 클램핑 전압
- 45A 최대 TLP 전류(I_TLP)
- 15kV 최대 ESD(10 펄스)(V_ESD)
- 0.10Ω 동적 저항
- 12pF 접합 정전용량(1MHz)(C_J)
- 피크 전력 전류(I_PP): 8A
B74121G1160M160 (범용)
- WL-CSP0201 케이스
- 0.58mm x 0.28mm x 0.15mm 크기
- IEC 61000-4-2에 따른 최대 15kV의 높은 ESD 보호 기능
- 16V 최대 역방향 작동 전압(V_RWM)
- 17.5~21V 항복 전압(V_BR)
- 매우 낮은 누설 전류: < 1nA(표준) 역방향 누설 전류(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1)에서 22.8V 클램핑 전압
- I_TLP = 16A (V_C2)에서 25.4V 클램핑 전압
- 0.30Ω 동적 저항
- 5.5pF의 낮은 정전용량(표준)(1MHz, 16V)
B74111G0050M060 (범용)
- WL-CSP01005 케이스
- 0.4mm x 0.2mm x 0.10mm 크기
- +5V 최대 역방향 작동 전압(V_RWM)
- 6~8V 항복 전압(V_BR)
- 2nA(표준) 역 누설 전류(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1)에서 7.6V 클램핑 전압
- I_TLP = 16A (V_C2)에서 8.9V 클램핑 전압
- 25A 최대 TLP 전류(I_TLP)
- 15kV 최대 ESD(10 펄스)(V_ESD)
- 0.17Ω 동적 저항
- 12pF 접합 정전용량(1MHz)(C_J)
- 4A 피크 전력 전류(I_PP)

B74111U0033M060 (초저 클램핑)
- WL-CSP01005 케이스
- 0.4mm x 0.2mm x 0.10mm 크기
- +3.3V 최대 역방향 작동 전압(V_RWM)
- 6.3V(표준) 항복 전압(V_BR)
- 1nA(표준) 역방향 누설 전류(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1)에서 3.8V 클램핑 전압
- I_TLP = 16A (V_C2)에서 5.0V 클램핑 전압
- 15kV 최대 ESD(10 펄스)(V_ESD)
- 0.15Ω 동적 저항
- 0.48pF 접합 정전용량(1MHz(C_J))
- 7A 피크 전력 전류(I_PP)
B74121U0033M060(초저 클램핑)
- WL-CSP0201 케이스
- 0.6mm x 0.3mm x 0.15mm 크기
- +3.3V 최대 역방향 작동 전압(V_RWM)
- 6.3V(표준) 항복 전압(V_BR)
- 1nA 표준 역방향 누설 전류(I_LEAK)
- I_TLP = 8A (V_C1)에서 3.8V 클램핑 전압
- I_TLP = 16A (V_C2)에서 5.2V 클램핑 전압
- 15kV 최대 ESD(10 펄스)(V_ESD)
- 0.10Ω 동적 저항
- 1MHz에서 0.65pF 접합 정전용량(CJ)
- 7A 피크 전력 전류(I_PP)
B74121G0160M060 (범용)
- 작동 전압: 최대 16V
- IEC 61000-4-2, VESD, max=10kV에 따른 ESD 보호
- V_{clamp, typical} = 24V(ITLP = 8A의 낮은 클램핑 전압)
- I_{leak, typical} =1nA의 매우 낮은 누설 전류(16V)
- C_typical =5pF의 낮은 정전용량(1MH)
B74121U0055M060/B74111U0055M060
- 최대 5.5V의 DC 전압
- USB-C™ USB 2.0 데이터 버스(D+/D-)
- 3.8V 및 4V, 8A의 낮은 클램핑 전압 ITLP
- 최대 15kV의 ESD 방전 전압
- 최대 0.48pF 정전용량 값
- WLCSP 01005 및 WLCSP 0201 소형 패키지
- 100µm 또는 150µm의 매우 평탄한 높이