Texas Instruments TDEL3G510/-Q1 3중 하강 에지 지연 소자

Texas Instruments TDEL3G510/-Q1 트리플 폴링 에지 지연 엘리먼트는 디지털 타이밍 애플리케이션을 위한 3개의 독립적인 고정 시간 지연 블록을 포함합니다. 각 채널은 상승 에지를 최소 지연으로 통과시키는 동시에 입력 신호의 하강 에지를 미리 설정된 양만큼 지연시킵니다.

TI TDEL3G510/-Q1은 외부 타이밍 소자 없이 사전 구성된 디지털 타이밍을 제공하여 펄스 성형, 신호 디바운스 및 지연 기능을 단순화합니다. TDEL3G510/-Q1 트리플 폴링 에지 지연 엘리먼트는 슈미트 트리거 입력과 I/O 클램프 다이오드를 사용하여 과전압 또는 저전압 과도 현상에 노출된 시스템에서 안정적인 동작을 지원합니다.

지연 소자는 하강 에지 신호를 지연시키고, 짧은 액티브-하이 펄스를 연장하며, 짧은 액티브-로우 펄스를 필터링하고, 액티브-하이 신호 디바운싱에 이상적입니다. TDEL3G510/-Q1은 8핀 SOT-5X3 패키지로 제공되며 -40°C ~ +125°C의 온도 범위에서 작동합니다.

특징

  • 3개의 독립적인 고정 시간 펄스 에지 지연 블록
  • 최소 상승 에지 지연을 가진 하강 에지 지연
  • 1%(표준)의 지연 변동과 10%(최대)의 지연
  • 외부 타이밍 구성요소가 필요 없는 사전 구성된 디지털 타이밍
  • 과전압 및 저전압 과도 현상으로부터 보호하기 위한 I/O 클램프 다이오드
  • 모든 입력에 스미트 트리거 아키텍처
  • 양의 입력 클램프 다이오드

애플리케이션

  • 신호의 하강 에지 지연
  • 짧은 활성 고펄스 연장
  • 짧은 액티브-로우 펄스 필터링
  • 액티브-하이 신호의 반응 지연 제거

사양

  • 3개 채널
  • 1.65~5.5V 공급 전압 범위
  • 3µA 공급 전류
  • 푸시-풀 출력 유형
  • 최대 IOL 12mA 및 최대 IOH -12mA
  • 작동 온도 범위: -40 °C~+125 °CC
  • TDEL1G51000 장치 정보 항목에 대한 100ms 지연 시간
  • 패키지
    • 8핀 DRL SOT-5X3 패키지
    • 2.1x1.6mm 패키지 크기

기능 블록 선도

블록 선도 - Texas Instruments TDEL3G510/-Q1 3중 하강 에지 지연 소자

다이오드 구조

계통도 - Texas Instruments TDEL3G510/-Q1 3중 하강 에지 지연 소자
게시일: 2026-06-30 | 갱신일: 2026-09-16