|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M6438BLK0S
- ATP Electronics
-
50:
₩63,921.3
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M6438BLK0S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
- AW12M6438BLMAM
- ATP Electronics
-
50:
₩86,257.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M6438BLMAM
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
|
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|
|
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|
메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- AW12M6438BLMAMW
- ATP Electronics
-
50:
₩98,024
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M6438BLMAMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1866 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLF8M
- ATP Electronics
-
50:
₩92,133.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLF8MI
- ATP Electronics
-
50:
₩128,279.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLF8MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLF8S
- ATP Electronics
-
50:
₩63,540.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLF8S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLH9M
- ATP Electronics
-
50:
₩92,133.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLH9M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLH9MI
- ATP Electronics
-
50:
₩128,279.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLH9MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLH9S
- ATP Electronics
-
50:
₩63,540.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLH9S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLK0M
- ATP Electronics
-
50:
₩92,133.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLK0M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLK0MI
- ATP Electronics
-
50:
₩128,279.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLK0MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64B8BLK0S
- ATP Electronics
-
50:
₩63,540.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64B8BLK0S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKF8M
- ATP Electronics
-
50:
₩140,271.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKF8MI
- ATP Electronics
-
50:
₩183,675.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKF8MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKF8S
- ATP Electronics
-
50:
₩92,133.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKF8S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKH9M
- ATP Electronics
-
50:
₩140,271.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKH9M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKH9MI
- ATP Electronics
-
50:
₩183,675.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKH9MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKK0M
- ATP Electronics
-
50:
₩140,271.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKK0M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKK0MI
- ATP Electronics
-
50:
₩183,675.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKK0MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
- AW12M64F8BKK0S
- ATP Electronics
-
50:
₩92,133.5
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M64F8BKK0S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1600 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
- AW12M7218BLF8M
- ATP Electronics
-
50:
₩96,192
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M7218BLF8M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
- AW12M7218BLF8MI
- ATP Electronics
-
50:
₩136,537.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M7218BLF8MI
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 IG Module 4GB Unb ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- AW12M7218BLF8MW
- ATP Electronics
-
50:
₩106,606
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M7218BLF8MW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
- AW12M7218BLF8S
- ATP Electronics
-
50:
₩70,939.1
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M7218BLF8S
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1066 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
- AW12M7218BLH9M
- ATP Electronics
-
50:
₩96,192
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-AW12M7218BLH9M
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC SO-DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
4 GB
|
DDR3
|
1333 MT/s
|
1.5 V
|
|
240 Pin
|
|