|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
- NVH4L070N120M3S-IE
- onsemi
-
1:
₩29,328
-
450재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-H4L070N120M3S-IE
신제품
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
|
|
450재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 45
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,191.2
-
824재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMDQ75R040M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
|
|
824재고 상태
|
|
|
₩17,191.2
|
|
|
₩9,578.4
|
|
|
₩9,141.6
|
|
|
₩8,533.2
|
|
|
₩8,533.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
- IMZC140R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩45,130.8
-
168재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC140R011M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
|
|
168재고 상태
|
|
|
₩45,130.8
|
|
|
₩36,129.6
|
|
|
₩29,952
|
|
|
₩29,952
|
|
|
₩28,579.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
240
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF030120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
₩21,606
-
21재고 상태
-
270예상 2026-08-31
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
771-NSF030120T1A0HP
신제품
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
21재고 상태
270예상 2026-08-31
|
|
|
₩21,606
|
|
|
₩16,458
|
|
|
₩13,712.4
|
|
|
₩12,589.2
|
|
|
₩11,559.6
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
₩19,624.8
-
359재고 상태
-
60예상 2026-08-28
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
148-GP3T020A120H
신제품
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
359재고 상태
60예상 2026-08-28
|
|
|
₩19,624.8
|
|
|
₩11,778
|
|
|
₩11,762.4
|
|
|
₩10,140
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩22,339.2
-
1,776재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R026M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,776재고 상태
|
|
|
₩22,339.2
|
|
|
₩15,631.2
|
|
|
₩12,854.4
|
|
|
₩12,604.8
|
|
|
₩12,012
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩18,782.4
-
1,381재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R034M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,381재고 상태
|
|
|
₩18,782.4
|
|
|
₩12,480
|
|
|
₩11,325.6
|
|
|
₩9,812.4
|
|
|
₩9,547.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,581.2
-
951재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R040M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
951재고 상태
|
|
|
₩17,581.2
|
|
|
₩12,152.4
|
|
|
₩9,422.4
|
|
|
₩8,798.4
|
|
|
₩8,798.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,757.6
-
330재고 상태
-
750예상 2026-11-12
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R053M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
330재고 상태
750예상 2026-11-12
|
|
|
₩14,757.6
|
|
|
₩9,718.8
|
|
|
₩7,488
|
|
|
₩6,988.8
|
|
|
₩6,988.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R033M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,768.4
-
909재고 상태
-
1,800예상 2026-11-05
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMLT65R033M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
909재고 상태
1,800예상 2026-11-05
|
|
|
₩17,768.4
|
|
|
₩9,937.2
|
|
|
₩9,547.2
|
|
|
₩9,032.4
|
|
|
₩9,032.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩37,315.2
-
835재고 상태
-
2,000예상 2026-12-24
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMT65R010M2HXUMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
835재고 상태
2,000예상 2026-12-24
|
|
|
₩37,315.2
|
|
|
₩26,910
|
|
|
₩24,866.4
|
|
|
₩23,228.4
|
|
|
₩23,228.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMW65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩40,201.2
-
234재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMW65R010M2HXKSA
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
234재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩23,244
-
538재고 상태
-
240예상 2026-09-10
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMW65R026M2HXKSA
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
538재고 상태
240예상 2026-09-10
|
|
|
₩23,244
|
|
|
₩13,072.8
|
|
|
₩12,807.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMW65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,071.2
-
992재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMW65R060M2HXKSA
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
992재고 상태
|
|
|
₩14,071.2
|
|
|
₩8,221.2
|
|
|
₩6,926.4
|
|
|
₩6,910.8
|
|
|
₩6,552
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
- IMZC120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩41,542.8
-
371재고 상태
-
480주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R012M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
|
|
371재고 상태
480주문 중
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
- IMZC120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩32,572.8
-
493재고 상태
-
240주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R017M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
|
|
493재고 상태
240주문 중
|
|
|
₩32,572.8
|
|
|
₩23,524.8
|
|
|
₩20,436
|
|
|
₩19,515.6
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
- IMZC120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩28,906.8
-
1,377재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R022M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
|
|
1,377재고 상태
|
|
|
₩28,906.8
|
|
|
₩19,905.6
|
|
|
₩17,191.2
|
|
|
₩16,021.2
|
|
|
₩15,272.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
- IMZC120R034M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩19,562.4
-
699재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R034M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
|
|
699재고 상태
|
|
|
₩19,562.4
|
|
|
₩10,810.8
|
|
|
₩10,233.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
- IMZC120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,849.6
-
677재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R053M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
|
|
677재고 상태
|
|
|
₩15,849.6
|
|
|
₩9,344.4
|
|
|
₩7,909.2
|
|
|
₩7,893.6
|
|
|
₩7,675.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,648.4
-
460재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMZC120R078M2HXK
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
460재고 상태
|
|
|
₩14,648.4
|
|
|
₩7,971.6
|
|
|
₩7,347.6
|
|
|
₩6,645.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩15,178.8
-
790재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA40N120L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
790재고 상태
|
|
|
₩15,178.8
|
|
|
₩10,405.2
|
|
|
₩7,862.4
|
|
|
₩7,441.2
|
|
|
₩7,441.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA80N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
₩22,339.2
-
760재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSA80N120L2-7TR
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
760재고 상태
|
|
|
₩22,339.2
|
|
|
₩15,646.8
|
|
|
₩13,010.4
|
|
|
₩12,168
|
|
최소: 1
배수: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH40N120L2KHV
- IXYS
-
1:
₩15,444
-
394재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH40N120L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
394재고 상태
|
|
|
₩15,444
|
|
|
₩8,517.6
|
|
|
₩7,659.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH80N120L2KHV
- IXYS
-
1:
₩23,197.2
-
292재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-IXSH80N120L2KHV
신제품
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
292재고 상태
|
|
|
₩23,197.2
|
|
|
₩13,306.8
|
|
|
₩12,636
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T040A120H
- SemiQ
-
1:
₩13,088.4
-
50재고 상태
-
30예상 2026-08-28
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
148-GP3T040A120H
신제품
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
50재고 상태
30예상 2026-08-28
|
|
|
₩13,088.4
|
|
|
₩8,892
|
|
|
₩7,566
|
|
|
₩5,959.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|