SiC MOSFET 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 62
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 45

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified 824재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET 168재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 240

SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK 21재고 상태
270예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT QDPAK-22
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 359재고 상태
60예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,776재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,381재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 951재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 330재고 상태
750예상 2026-11-12
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 909재고 상태
1,800예상 2026-11-05
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SiC MOSFETS SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 835재고 상태
2,000예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 234재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 538재고 상태
240예상 2026-09-10
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 992재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 371재고 상태
480주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 493재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1,377재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 699재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 677재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 460재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L 760재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7L
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 394재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 292재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 50재고 상태
30예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4L