LVCMOS, HCMOS MEMS 발진기

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SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 2,641재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 33.33333MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 2,689재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V -40C +85C 304재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B


SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,134재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

7 mm x 5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 25MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm 808재고 상태
3,000예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1
: 3,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 90MHz 3.3V 50ppm -20C +70C 466재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

90 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 299재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 66재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 402재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 40MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 126재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

40 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 2.097MHz 3.3V 20ppm -40C +85C 114재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 2.097 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 12.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 419재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

12.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 20MHz 50ppm 3.3V -40C +85C 118재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 20 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 50MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 119재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250
2 mm x 1.6 mm 50 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 70재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12.288 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.3V, 12.288MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

12.288 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 3.3V -20 to 70C 50ppm 67재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 245재고 상태
500예상 2026-09-04
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 3.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2016, 50ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 884재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 24.576MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 176재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 24.576 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, SOT23, 25ppm, Default Dr Str, 3.3V, 100MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 1,029재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SOT-23-5 100 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C SiT2001
SiTime MEMS 발진기 25.0MHz -20C +70C 3.3V 50ppm 164재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 25ppm, 2.5V, 25MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 156재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS 발진기 -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 27MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

27 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B