3200 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 64 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 3200 MT/s