3200 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Advantech 메모리 모듈 ECC SODIMM DDR4 3200 8GB 1GX8 (0-85) Nan
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 SODIMM DDR4 3200 16GB 1Gx16 (0-85) Nanya
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 ECC SODIMM DDR4 3200 16GB 1GX8 (0-85) Na
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 SODIMM DDR4 3200 4GB 512x16 (0-85) Nanya
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 ECC SODIMM DDR4 3200 4GB 512X8 (0-85) Na
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 SODIMM DDR4 3200 8GB 1Gx8 (0-85) Nanya
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Advantech 메모리 모듈 262pin ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hy
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 32 GB DDR5 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 262 Pin
Advantech 메모리 모듈 262pin ECC SODIMM DDR5 5600 16GB 2Gx8 Hy
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 16 GB DDR5 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 262 Pin
Advantech 메모리 모듈 UDIMM DDR4 3200 4GB 512X16 (0-85) Nanya
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Advantech 메모리 모듈 UDIMM DDR4 3200 8GB 1GX8 (0-85) Nanya
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ADLINK Technology TRANSCEND TS1GSH64V2B
ADLINK Technology 메모리 모듈 DDR4-3200, 8GB, 1Gx64, SO-DIMM 260P, 1.2V, Rank:1, CL22, Non-ECC, OP Temp:0-85, Fix Die:No, Chip(1Gx8), anti-sulfur 재고 없음
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Micron Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin