PowerSaver SRAM

결과: 110
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ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 80재고 상태
702예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 14재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 28재고 상태
1,080주문 중
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI IS61WV102416DBLL-10TLI
ISSI SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 82재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM
395예상 2026-09-08
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 1.98 V 1.65 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 1.98 V 1.65 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 256K,Low Power/Power Saver,Async,32K x 8,45ns,3.3v,28 Pin TSOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel