|
|
NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
- DS1270Y-70#
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
₩583,611.6
-
비재고 리드 타임 14 주
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Mouser 부품 번호
700-DS1270Y-70#-
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 16M Nonvolatile SRAM
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비재고 리드 타임 14 주
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최소: 1
배수: 1
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|
EDIP-36
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16 Mbit
|
|
8 bit
|
70 ns
|
5.25 V
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4.75 V
|
85 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
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DS1270Y
|
Tube
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NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
- DS1330WP-100IND+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
40:
₩44,241.6
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1330WP-100IND
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
|
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비재고 리드 타임 14 주
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|
최소: 40
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
DS1330W
|
Tray
|
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NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery
- DS1350WP-100+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
400:
₩232,112.4
-
비재고 리드 타임 17 주
|
Mouser 부품 번호
700-DS1350WP-100
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery
|
|
비재고 리드 타임 17 주
|
|
최소: 400
배수: 40
|
|
|
PowerCap Module-34
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
100 ns
|
3.6 V
|
3 V
|
50 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
DS1350W
|
Tray
|
|
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NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
- CY14B101LA-ZS45XI
- Infineon Technologies
-
1:
₩56,206.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-14B101LAZS45XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩56,206.8
|
|
|
₩52,026
|
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|
₩50,356.8
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|
₩49,108.8
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|
보기
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₩47,361.6
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|
₩46,160.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
45 ns
|
3.6 V
|
2.7 V
|
70 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B101LA
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
- CY14B101Q2A-SXIT
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩19,546.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B101Q2A-SXIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SOIC-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
3.6 V
|
2.7 V
|
1 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B101Q2A
|
Reel
|
|
|
|
NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
- CY14B256I-SFXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩15,288
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B256I-SFXIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
I2C
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
3.6 V
|
2.7 V
|
1 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B256I
|
Reel
|
|
|
|
NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
- CY14B256PA-SFXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩17,986.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B256PA-SFXIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
3.6 V
|
2.7 V
|
3 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B256PA
|
Reel
|
|
|
|
NVRAM 512Kb 3V 40Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM
- CY14B512Q2A-SXIT
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩14,991.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B512Q2A-SXIT
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 512Kb 3V 40Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SOIC-8
|
SPI
|
512 kbit
|
64 k x 8
|
8 bit
|
|
3.6 V
|
2.7 V
|
3 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14B512Q2A
|
Reel
|
|
|
|
NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
- CY14U256LA-BA35XI
- Infineon Technologies
-
2,990:
₩25,802.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14U256LABA35XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,990
배수: 2,990
|
|
|
FBGA-48
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3.6 V
|
2.7 V
|
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
CY14U256LA
|
Tray
|
|
|
|
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
- CY14V101QS-SF108XQ
- Infineon Technologies
-
1:
₩41,215.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14V101QSSF108Q
|
Infineon Technologies
|
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩41,215.2
|
|
|
₩38,188.8
|
|
|
₩36,176.4
|
|
|
₩35,287.2
|
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|
보기
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|
|
₩34,756.8
|
|
|
₩25,506
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
3.6 V
|
2.7 V
|
33 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
CY14V101
|
Tube
|
|
대한민국
