Tray MRAM(자기 메모리)

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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 32Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM032LXQAB313ES2T 100재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 80재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 5재고 상태
216예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 11재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 93재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
910예상 2026-08-18
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
90예상 2027-01-15
최소: 1
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DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
1,140예상 2026-12-02
최소: 1
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
5,550주문 중
최소: 1
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
9,380주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
3,546주문 중
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DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
1,620예상 2026-09-16
최소: 1
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TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
270예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 3
1,667주문 중
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BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
252예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
258예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics MRAM(자기 메모리) M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 300
배수: 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,008
배수: 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C 재고 없음
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C 재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray