Reel DRAM

결과: 1,169
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR86400E Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R16320F Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR BGA-60 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR TSOP-II-66 IS43R86400F Reel
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 128Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Reel
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Reel