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IS41LV16256C-35TLI

ISSI

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Mouser 번호:

870-S41LV16256C35TLI

제조업체 번호:

IS41LV16256C-35TLI

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns

라이프사이클:

NRND:

새로운 디자인에 권장되지 않습니다.

데이터시트:

IS41LV16256C-35TLI 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	EDO DRAM
메모리 크기:	4 Mbit
데이터 버스 너비:	16 bit
패키지/케이스:	TSOP-II-40
조직:	256 k x 16
액세스 시간:	35 ns
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	IS41LV16256C
포장:	Tray
브랜드:	ISSI
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	135
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	90 mA

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IS41LV16256C-35TLI 데이터시트 (PDF)

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8542321010
CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 타이완
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 타이완

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

주요 제품

ISSI

LPDDR4 및 LPDDR4X 모바일 SDRAM

2Gb, 4Gb 및 8Gb 밀도로 제공되는 저전압 메모리 장치로 모바일 애플리케이션에 이상적입니다.

LPDDR4 및 LPDDR4X 모바일 SDRAM 에 대해

512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM

8 뱅크 설정으로 내부적으로 구성된 고속 DRAM 장치입니다.

512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM 에 대해

Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

DDR3 SDRAM 에 대해

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Pseudo SRAM/CellularRAM 에 대해

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

Mobile LPDDR2 SDRAM 에 대해

재고 상태: 129

재고:: 129 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.

129을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩10,108.8	₩10,109
	₩9,406.8	₩94,068
	₩9,126	₩228,150
	₩8,720.4	₩436,020
	₩8,502	₩850,200