8 bit DRAM

결과: 336
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
446예상 2026-10-16
₩39,577.2
₩36,675.6
₩35,536.8
₩34,663.2
₩33,352.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
451주문 중
₩45,536.4
₩42,182.4
₩40,840.8
₩39,842.4
₩37,596
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 512 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR85120BL
ISSI DRAM 2G 256Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V
173예상 2027-08-26
₩37,424.4
₩34,678.8
₩33,586.8
₩32,775.6
₩31,543.2
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR82560C
ISSI DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM 1재고 상태
2,400주문 중
₩12,994.8
₩12,090
₩11,731.2
₩11,185.2
₩10,920
최소: 1
배수: 1
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFGBA-24 8 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS66WVH8M8BLL
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
2,500예상 2027-02-10
컷 테이프
₩17,971.2
₩16,692
₩16,177.2
₩15,802.8
₩15,100.8
₩15,100.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp N/A
₩117,842.4
₩108,841.2
₩105,300
₩102,663.6
₩100,058.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
105예상 2027-08-25
₩18,688.8
₩17,362.8
₩16,832.4
₩16,426.8
₩15,693.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242예상 2026-10-12
₩16,536
₩15,366
₩14,898
₩14,554.8
₩13,868.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
70주문 중
₩39,577.2
₩36,675.6
₩35,536.8
₩34,663.2
₩22,885.2
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560DL
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200예상 2027-03-19
₩9,968.4
₩9,859.2
₩8,392.8
최소: 1
배수: 1
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
₩86,798.4
₩80,230.8
₩77,641.2
₩75,706.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
₩147,295.2
최소: 220
배수: 220
SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial N/A
₩50,497.2
₩46,644
₩45,115.2
₩43,992
₩42,884.4
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
₩19,843.2
₩18,439.2
₩17,862
₩17,440.8
최소: 1
배수: 1
HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
₩113,302.8
₩104,644.8
₩101,228.4
₩98,701.2
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
414예상 2027-03-23
₩111,711.6
₩103,178.4
₩99,824.4
₩97,328.4
₩94,863.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G08D4 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 비재고 리드 타임 20 주
₩9,266.4
최소: 4,800
배수: 4,800
PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
₩2,574
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 리드 타임 20 주
₩6,583.2
₩6,130.8
₩5,959.2
₩5,818.8
최소: 1
배수: 1
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
₩18,501.6
₩18,049.2
₩17,581.2
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 26 주
₩36,940.8
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
₩6,817.2
최소: 3,380
배수: 3,380
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 비재고 리드 타임 26 주
₩11,653.2
₩10,857.6
₩10,530
₩10,280.4
최소: 1
배수: 1
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
₩4,243.2
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000
PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
₩4,477.2
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel