8 bit DRAM

결과: 352
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400F

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel