8 bit DRAM

결과: 335
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩25,537.2
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩10,576.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩10,576.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩5,522.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩7,394.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩24,694.8
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩26,847.6
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩23,415.6
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩25,662
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩16,645.2
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 52 주
₩27,924
₩25,896
₩25,069.2
₩23,899.2
₩23,290.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩16,692
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2 비재고 리드 타임 52 주
₩13,540.8
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩83,881.2
최소: 136
배수: 136
SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩16,629.6
₩15,459.6
₩14,991.6
₩14,632.8
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩18,189.6
₩16,894.8
₩16,380
₩15,990
최소: 1
배수: 1
SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,954.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,954.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩34,569.6
₩32,026.8
₩31,028.4
₩30,264
₩23,415.6
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
₩26,769.6
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 256 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR82560C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 52 주
₩16,988.4
최소: 242
배수: 242
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩5,522.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩5,522.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
릴
₩5,491.2
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
릴
₩6,676.8
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel