16 bit DRAM

결과: 777
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 8 주
SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 비재고 리드 타임 9 주
SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩19,573.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩18,178.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩15,444.8
최소: 108
배수: 108
SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩22,124.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩20,137.5
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM LPDDR2 512Mb 533MHz 64Mx32 IT 재고 없음
₩19,982.5
₩18,531
₩17,953.2
₩17,107.7
최소: 1
배수: 1
SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FBGA-134 16 M x 32 18 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩16,713.1
최소: 108
배수: 108
SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16160J
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩16,854
최소: 108
배수: 108
SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16, 166MHz 비재고 리드 타임 52 주
₩13,767.9
최소: 108
배수: 108
SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz 비재고 리드 타임 52 주
₩13,767.9
최소: 108
배수: 108
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM 16Mx16 143MHz 비재고 리드 타임 52 주
₩12,837.8
최소: 108
배수: 108
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,303.9
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,485.5
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Reel
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩56,043.9
최소: 136
배수: 136
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
비재고 리드 타임 53 주
₩75,786.8
최소: 2,000
배수: 1
SDRAM - DDR3 16 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16K01S2L
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM 재고 없음
릴
₩9,540.3
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
FPM DRAM 16 Mbit 16 bit SOJ-42 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Reel
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 재고 없음
SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz WBGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16160B Reel
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 재고 없음
SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 16 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 재고 없음
SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H Reel