-ar 메모리 IC

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수량 RoHS 제품
제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
인터페이스 타입
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
데이터시트
리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND 1/2 ARRAYWP
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 4 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 2K 256X8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V EXT 1/2 ARRAYWP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 2.5V EXT 1/2 ARRAYWP
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM SMD/SMT SC-70-5 2 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND 1/2 ARRAYW
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V EXT 1/2 ARRAYWP
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

EEPROM SMD/SMT SC-70-5 1 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT TDFN-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 8 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT MSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C