512 kbit 메모리 IC

결과: 361
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Microchip Technology EEPROM 512k 64KX8 1.8V SER EE IND 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

EEPROM SMD/SMT SOIJ-8 512 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM 512k 64K X 8 3V SER EE IND 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 512 kbit
Microchip Technology EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT DFN-S-8 512 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE IND 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

EEPROM SMD/SMT DFN-S-8 512 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE IND 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,100
배수: 2,100
: 2,100

EEPROM SMD/SMT SOIJ-8 512 kbit SPI
Microchip Technology NOR 플래시 512K (64K X 8) 33MHz 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,176
배수: 98

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /3.3V /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI

Microchip Technology EEPROM 64kx8 - 1.8V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-14 512 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 64kx8 - 2.5V Hi Spd 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-14 512 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 64kx8 - 2.5V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

EEPROM SMD/SMT TSSOP-14 512 kbit 2-Wire, I2C
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /3.3V /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /3.3V /USON8 1.5*1.5*0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /3.3V /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /Tube 재고 없음
최소: 20,000
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.8v /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.8v /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.8v /USON8 3*2*0.45mm /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.8v /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.65v-3.6v /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /Tube 재고 없음
최소: 20,000
배수: 1

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI
GigaDevice NOR 플래시 512Kbit NOR 플래시 /1.65v-3.6v /SOP8 150mil /Industrial(-40? to +85?) /T&R 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit SPI

STMicroelectronics EEPROM 512 Kbit Serial SPI EEPROM highspeed 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 512 kbit SPI
Microchip Technology EEPROM SERIAL EEPROM 512K (64K X 8) 2WIRE 2.5V 비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

EEPROM SMD/SMT SOIJ-8 512 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TSSOP-8 512 kbit SDI, SPI, SQI
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

SRAM SMD/SMT SOIC-8 512 kbit SDI, SPI, SQI