4 Gbit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩58,326.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩64,625.9
₩59,764.2
₩57,861.8
₩56,424.4
₩41,937.8
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩46,080.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩49,716.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩35,483.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩38,316.1
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩64,625.9
₩59,764.2
₩57,861.8
₩56,424.4
₩38,062.5
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩35,483.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩49,716.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩35,483.7
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩49,716.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩38,316.1
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩37,696.1
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩88,187.7
₩81,479.9
₩80,409
₩74,081.6
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI NAND 플래시 4G 3V x8 1-bit NAND 플래시 리드 타임 52 주
₩44,699.8
₩41,388.2
₩40,077.6
₩37,202.9
최소: 1
배수: 1
NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 4G 3.3V x8 NAND 플래시 Q100 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩33,031.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm 리드 타임 52 주
₩52,957.7
₩49,054.3
₩47,490
₩46,320.4
최소: 1
배수: 1
NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm 리드 타임 52 주
₩50,097.1
₩46,390.9
₩44,925.3
₩43,812
최소: 1
배수: 1
NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit SPI
ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade 비재고 리드 타임 52 주
₩38,936.2
최소: 96
배수: 96
NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩38,499.3
최소: 480
배수: 480
NAND Flash SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 비재고 리드 타임 52 주
₩55,677.5
최소: 136
배수: 136
DRAM SMD/SMT 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩52,774.5
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩61,004.3
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩52,732.3
최소: 171
배수: 171
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩52,774.5
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit