32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 315
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,457.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩17,530.4
₩16,290.4
₩15,783
₩15,402.6
₩12,076.8
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩11,893.6
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,556.5
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,457.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,247.5
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,161.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩13,810.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩15,148.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩12,161.4
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩54,423.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩109,072.1
최소: 136
배수: 136
DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩109,184.8
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,106.1
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩20,616.6
₩19,122.8
₩18,516.9
₩17,643.2
₩17,206.3
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,470.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT FBGA-134 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,384.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,624.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,385.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩8,384.7
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,554.9
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,624.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,385.8
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,160.3
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩10,963.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit