|
|
DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
- IS45S32200L-7TLA1
- ISSI
-
1:
₩10,202.4
-
540예상 2026-08-26
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32200L7TLA1
NRND
|
ISSI
|
DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
|
|
540예상 2026-08-26
|
|
|
₩10,202.4
|
|
|
₩9,500.4
|
|
|
₩9,266.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-II-86
|
64 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS45S32400F-6BLA2
- ISSI
-
1:
₩24,772.8
-
190주문 중
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32400F6BLA2
NRND
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
190주문 중
|
|
|
₩24,772.8
|
|
|
₩22,963.2
|
|
|
₩22,245.6
|
|
|
₩21,200.4
|
|
|
₩20,670
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
128 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42SM32800K-6BLI
- ISSI
-
1:
₩15,584.4
-
239예상 2027-07-12
|
Mouser 부품 번호
870-IS42SM32800K6BLI
|
ISSI
|
DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
|
|
239예상 2027-07-12
|
|
|
₩15,584.4
|
|
|
₩14,492.4
|
|
|
₩14,055.6
|
|
|
₩13,712.4
|
|
|
₩12,963.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
- AS4C128M32MD2A-25BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩75,036
-
124예상 2026-10-21
|
Mouser 부품 번호
913-4C12832MD2A25BIN
|
Alliance Memory
|
DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
|
|
124예상 2026-10-21
|
|
|
₩75,036
|
|
|
₩69,373.2
|
|
|
₩67,126.8
|
|
|
₩65,457.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩62,602.8
|
|
|
₩62,587.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-134
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
- AS4C16M32MSA-6BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩31,714.8
-
348예상 2026-08-26
|
Mouser 부품 번호
913-AS4C16M32MSA6BIN
|
Alliance Memory
|
DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
|
|
348예상 2026-08-26
|
|
|
₩31,714.8
|
|
|
₩29,406
|
|
|
₩28,485.6
|
|
|
₩27,799.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩26,473.2
|
|
|
₩25,786.8
|
|
|
₩25,412.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
- AS4C2M32S-6BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩19,718.4
-
312예상 2026-12-16
|
Mouser 부품 번호
913-AS4C2M32S-6BIN
|
Alliance Memory
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
|
|
312예상 2026-12-16
|
|
|
₩19,718.4
|
|
|
₩18,314.4
|
|
|
₩17,752.8
|
|
|
₩17,331.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩16,520.4
|
|
|
₩16,083.6
|
|
|
₩15,849.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
TFBGA-90
|
64 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
- IS42S32800J-7TL
- ISSI
-
1:
₩13,837.2
-
996주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-42S32800J7TL
|
ISSI
|
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
|
|
996주문 중
|
|
|
₩13,837.2
|
|
|
₩12,870
|
|
|
₩12,480
|
|
|
₩12,183.6
|
|
|
₩11,856
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
TSOP-II-86
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
- IS43LD32128B-18BLI
- ISSI
-
1:
₩64,646.4
-
1,118예상 2027-07-30
|
Mouser 부품 번호
870-LD32128B18BLI
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
|
|
1,118예상 2027-07-30
|
|
|
₩64,646.4
|
|
|
₩59,794.8
|
|
|
₩57,891.6
|
|
|
₩56,440.8
|
|
|
₩54,397.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-134
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
- IM24G32L4JCBG-046
- Intelligent Memory
-
120:
₩41,168.4
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM24G32L4JCBG046
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
|
₩41,168.4
|
|
|
₩39,780
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 120
배수: 120
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
24 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
- IM6432SDBABG-6I
- Intelligent Memory
-
1:
₩8,502
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM6432SDBABG-6I
|
Intelligent Memory
|
DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
|
₩8,502
|
|
|
₩7,924.8
|
|
|
₩7,690.8
|
|
|
₩7,503.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩7,207.2
|
|
|
₩7,020
|
|
|
₩6,879.6
|
|
|
₩6,708
|
|
|
₩6,614.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-90
|
64 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
- IM8G32L4JCBG-046
- Intelligent Memory
-
1:
₩51,620.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM8G32L4JCBG-046
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
|
₩51,620.4
|
|
|
₩47,751.6
|
|
|
₩47,174.4
|
|
|
₩46,316.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩45,895.2
|
|
|
₩45,318
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
8 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
- IM24G32L4JCBG-046I
- Intelligent Memory
-
120:
₩44,709.6
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
822-M24G32L4JCBG046I
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
|
₩44,709.6
|
|
|
₩43,212
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 120
배수: 120
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
24 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
- IME4G32L4HABG-062I
- Intelligent Memory
-
1:
₩132,288
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IME4G32L4HABG62I
|
Intelligent Memory
|
DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩132,288
|
|
|
₩122,179.2
|
|
|
₩118,201.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
- IME8G32L4HADG-062I
- Intelligent Memory
-
1:
₩138,824.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IME8G32L4HADG62I
|
Intelligent Memory
|
DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩138,824.4
|
|
|
₩128,044.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-200
|
8 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
- S80KS2564GACHB040
- Infineon Technologies
-
260:
₩12,261.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB040
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 260
배수: 260
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-49
|
256 Mbit
|
|
|
|
|
NVRAM NVSRAM
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
- CY14B116S-BZ35XI
- Infineon Technologies
-
1:
₩181,911.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY14B116S-BZ35XI
|
Infineon Technologies
|
NVRAM NVSRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩181,911.6
|
|
|
₩170,102.4
|
|
|
₩165,172.8
|
|
|
₩161,382
|
|
|
₩143,098.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
NVRAM
|
SMD/SMT
|
FBGA-165
|
16 Mbit
|
Parallel
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42RM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩13,946.4
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42RM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS42SM32160E-75BL
- ISSI
-
240:
₩16,333.2
-
비재고 리드 타임 8 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS42SM32160E75BL
|
ISSI
|
DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 8 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA1
- ISSI
-
136:
₩61,869.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ32128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩66,830.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩36,972
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-32128AL06T2BLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-200
|
4 Gbit
|
|
|
|
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42RM32160E-75BLI
- ISSI
-
240:
₩16,894.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-I42RM32160E75BLI
|
ISSI
|
DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 240
배수: 240
|
|
DRAM
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
512 Mbit
|
|
|
|
|
DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
- IS42SM32800K-75BLI
- ISSI
-
1:
₩18,704.4
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-I42SM32800K75BLI
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ISSI
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DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
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비재고 리드 타임 52 주
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₩18,704.4
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₩17,846.4
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₩17,503.2
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₩17,238
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₩14,445.6
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최소: 1
배수: 1
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DRAM
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SMD/SMT
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BGA-90
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256 Mbit
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DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
- IS42VM32800K-75BLI
- ISSI
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1:
₩19,359.6
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-I42VM32800K75BLI
|
ISSI
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DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR
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비재고 리드 타임 52 주
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₩19,359.6
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₩17,986.8
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₩17,425.2
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₩17,019.6
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₩16,270.8
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최소: 1
배수: 1
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DRAM
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SMD/SMT
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BGA-90
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256 Mbit
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DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS46LR32160C-6BLA1
- ISSI
-
1:
₩21,746.4
-
비재고 리드 타임 52 주
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Mouser 부품 번호
870-I46LR32160C6BLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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비재고 리드 타임 52 주
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₩21,746.4
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₩20,732.4
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₩20,326.8
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₩19,734
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₩16,801.2
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최소: 1
배수: 1
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DRAM
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SMD/SMT
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BGA-90
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512 Mbit
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대한민국
