메모리 및 데이터 스토리지

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Greenliant 고체 상태 드라이브 - SSD 480GB NVMe PCIe M.2 2242-B-M (TLC 5K) I-TEMP 8구매 가능한 공장 재고품
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ISSI NOR 플래시 128Mb 3V 80/166Mhz Serial NOR 플래시
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ISSI IS25WP512MG-RHLA2
ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade
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Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
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Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 리드 타임 9 주
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Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
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: 3,300

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
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Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 10 주
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배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
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Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500


Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 10 주
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배수: 1

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 1.8V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 12 주
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Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SER EE 1.8V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
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Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
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Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SER EE 2.5V EXT 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 9 주
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배수: 2,500
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Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARAY WP 비재고 리드 타임 8 주
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