32 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩9,438
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 비재고 리드 타임 52 주
₩61,635.6
최소: 136
배수: 136
DRAM SMD/SMT 4 Gbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩15,303.6
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,539.2
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩13,946.4
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩14,211.6
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩10,576.8
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩13,478.4
₩12,542.4
₩12,168
₩11,606.4
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,539.2
₩13,509.6
₩13,104
₩12,792
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩10,717.2
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,757.6
₩13,728
₩13,306.8
₩12,994.8
₩12,682.8
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,539.2
₩13,509.6
₩13,104
₩12,792
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩11,528.4
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩16,068
₩14,944.8
₩14,476.8
₩14,133.6
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩14,180.4
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,448.8
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩19,843.2
₩18,439.2
₩17,877.6
₩17,456.4
₩12,636
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩12,448.8
최소: 240
배수: 240
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩19,843.2
₩18,439.2
₩17,877.6
₩17,456.4
₩12,183.6
최소: 1
배수: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩56,612.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩65,972.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
₩51,979.2
최소: 171
배수: 171
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩56,612.4
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩65,972.4
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
₩61,869.6
최소: 136
배수: 136
DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit