18 bit 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 재고 없음
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
최소: 50
배수: 1
없음
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 비재고 리드 타임 18 주
최소: 50
배수: 1
없음
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 104
배수: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit