16 bit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
627주문 중
최소: 1
배수: 1

Winbond W9864G6KT-6
Winbond DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm 199재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns 129재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI IS43LR16800G-6BLI
ISSI DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS 288재고 상태
300예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

ISSI IS43LR16800G-6BL
ISSI DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS 141재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies NOR 플래시 1G 3V 100ns Parallel NOR 플래시
1,820예상 2026-09-24
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
418예상 2026-08-20
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 72재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Commercial Temp - Tape & Reel 10재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 60-BALL BGA, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 128M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR4, 4G, 256M x 16, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 256Mbit x16 I/O TSOP-56 Highest Sector Protected
2,331주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 1,000

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 64Mbit x16 I/O TSOP-48 Top Boot
2,950예상 2026-08-21
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 261재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial
131예상 2026-09-28
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash
2,000예상 2026-08-21
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
319예상 2026-09-07
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
450예상 2026-09-07
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
216예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
108예상 2026-10-20
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 400MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 56재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM 49재고 상태
최소: 1
배수: 1