16 bit 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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Winbond DRAM 512Mb LPSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm 8재고 상태
4주문 중
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배수: 1

Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 58재고 상태
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies S29GL512S11TFI023
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 252재고 상태
171예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1

ISSI IS43LR16800G-6BLI-TR
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 1,289재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

ISSI DRAM 64M (4Mx16) 143MHz SDR SDRAM 3.3v 105재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8Mx16 SDR SDRAM 91재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, IT 5재고 상태
11,780주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 210재고 상태
1,710예상 2027-02-01
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 27재고 상태
8,170주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT 5재고 상태
5,000예상 2027-05-14
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM 81재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 1재고 상태
2,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 19재고 상태
1,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS 19재고 상태
348예상 2026-09-10
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V 196재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16 5재고 상태
23,826주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 9재고 상태
270예상 2026-12-14
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 9재고 상태
5,510주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 9재고 상태
7,500예상 2027-01-18
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 1G 64Mx16 1333MT/s DDR3 1.5V I-Temp 35재고 상태
1,500예상 2027-07-27
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L 309재고 상태
2,280예상 2027-07-12
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s 5재고 상태
272예상 2027-07-27
최소: 1
배수: 1