RF Power MOSFET 반도체

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결과: 253
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Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60
: 60

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
: 100

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY 비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60
: 60

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0408H9S30G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 100

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP0408H9S30G/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLP981/TO270/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 500
배수: 500
: 500

Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 160
배수: 160
: 160

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300
: 300

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz 비재고 리드 타임 52 주
최소: 100
배수: 100
: 100

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch 비재고 리드 타임 28 주
최소: 80
배수: 80

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 500

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 50

NXP Semiconductors RF MOSFET 트랜지스터 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V 비재고 리드 타임 53 주
최소: 1
배수: 1
: 150

Microchip Technology VRF161
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 비재고 리드 타임 30 주
최소: 12
배수: 1

Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology RF MOSFET 트랜지스터 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR 비재고 리드 타임 30 주
최소: 10
배수: 1

STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 100
배수: 100

STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 100
배수: 100

STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor 비재고 리드 타임 52 주
최소: 100
배수: 100