|
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
₩15,537.6
-
337재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT070R70HTO
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
337재고 상태
|
|
|
₩15,537.6
|
|
|
₩8,564.4
|
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|
₩8,002.8
|
|
|
₩6,536.4
|
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₩6,520.8
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최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
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|
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,686
-
768재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT080R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
768재고 상태
|
|
|
₩10,686
|
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|
₩5,694
|
|
|
₩5,210.4
|
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|
₩4,882.8
|
|
|
₩4,492.8
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|
₩3,978
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|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩9,282
-
768재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT105R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
768재고 상태
|
|
|
₩9,282
|
|
|
₩4,882.8
|
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₩4,446
|
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|
₩4,040.4
|
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|
₩3,868.8
|
|
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₩3,291.6
|
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
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게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,974.8
-
781재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG612QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
781재고 상태
|
|
|
₩5,974.8
|
|
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₩4,508.4
|
|
|
₩4,149.6
|
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|
₩3,744
|
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보기
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₩3,151.2
|
|
|
₩3,541.2
|
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₩3,525.6
|
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|
₩3,322.8
|
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|
₩3,151.2
|
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견적
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최소: 1
배수: 1
:
3,000
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RF 증폭기 1-22GHz 15W PA
- ADPA1112AEJZ
- Analog Devices
-
1:
₩1,882,592.4
-
10재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
584-ADPA1112AEJZ
신제품
|
Analog Devices
|
RF 증폭기 1-22GHz 15W PA
|
|
10재고 상태
|
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최소: 1
배수: 1
최대: 5
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GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2090
- EPC
-
1:
₩6,520.8
-
2,139재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2090
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
2,139재고 상태
|
|
|
₩6,520.8
|
|
|
₩4,290
|
|
|
₩3,010.8
|
|
|
₩2,527.2
|
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|
₩2,277.6
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|
보기
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₩2,464.8
|
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₩2,184
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
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|
|
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GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
- EPC2091
- EPC
-
1:
₩15,178.8
-
900재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
65-EPC2091
신제품
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
|
|
900재고 상태
|
|
|
₩15,178.8
|
|
|
₩10,405.2
|
|
|
₩7,815.6
|
|
|
₩7,784.4
|
|
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₩7,066.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
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GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩10,592.4
-
2,393재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L1111B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
2,393재고 상태
|
|
|
₩10,592.4
|
|
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₩7,550.4
|
|
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₩7,254
|
|
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₩6,333.6
|
|
|
₩5,600.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
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GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩12,729.6
-
2,646재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L1414B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,646재고 상태
|
|
|
₩12,729.6
|
|
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₩8,642.4
|
|
|
₩6,333.6
|
|
|
₩6,224.4
|
|
|
₩5,709.6
|
|
|
₩5,070
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,238.4
-
2,667재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L2727B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,667재고 상태
|
|
|
₩7,238.4
|
|
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₩5,085.6
|
|
|
₩4,368
|
|
|
₩4,243.2
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|
보기
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₩4,087.2
|
|
|
₩4,118.4
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₩4,087.2
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|
견적
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|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
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|
|
|
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,678.4
-
2,353재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGI60L5050B1MXUM
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,353재고 상태
|
|
|
₩5,678.4
|
|
|
₩3,931.2
|
|
|
₩3,369.6
|
|
|
₩3,260.4
|
|
|
₩3,166.8
|
|
|
₩2,792.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩2,090.4
-
3,138재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IGK048B041SXTSA1
신제품
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,138재고 상태
|
|
|
₩2,090.4
|
|
|
₩1,380.6
|
|
|
₩1,148.2
|
|
|
₩1,102.9
|
|
|
₩1,065.5
|
|
|
₩1,045.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩4,492.8
-
2,500재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTD100N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK
|
|
2,500재고 상태
|
|
|
₩4,492.8
|
|
|
₩2,886
|
|
|
₩2,886
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
250
|
|
|
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GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩4,664.4
-
2,463재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMT100N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8
|
|
2,463재고 상태
|
|
|
₩4,664.4
|
|
|
₩3,010.8
|
|
|
₩3,010.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
250
|
|
|
|
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GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
₩4,258.8
-
2,475재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMT130N70GN1TXG
신제품
|
onsemi
|
GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8
|
|
2,475재고 상태
|
|
|
₩4,258.8
|
|
|
₩2,745.6
|
|
|
₩2,745.6
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
250
|
|
|
|
|
AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
₩2,854.8
-
2,322재고 상태
-
수명 종료
|
Mouser 부품 번호
863-NCP1568G03DBR2G
수명 종료
|
onsemi
|
AC/DC 컨버터 ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2,322재고 상태
|
|
|
₩2,854.8
|
|
|
₩2,262
|
|
|
₩2,106
|
|
|
₩1,934.4
|
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|
보기
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|
₩1,731.6
|
|
|
₩1,856.4
|
|
|
₩1,825.2
|
|
|
₩1,794
|
|
|
₩1,731.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩19,702.8
-
110재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110재고 상태
|
|
|
₩19,702.8
|
|
|
₩15,475.2
|
|
|
₩14,445.6
|
|
|
₩13,275.6
|
|
|
₩12,417.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩11,934
|
|
|
₩11,762.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩22,542
-
140재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140재고 상태
|
|
|
₩22,542
|
|
|
₩17,784
|
|
|
₩16,598.4
|
|
|
₩15,428.4
|
|
|
₩14,632.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,993.2
|
|
|
₩13,837.2
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
- LMG3411R050RWHT
- Texas Instruments
-
1:
₩49,998
-
37재고 상태
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3411R050RWHT
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
|
|
37재고 상태
|
|
|
₩49,998
|
|
|
₩40,482
|
|
|
₩38,095.2
|
|
|
₩36,519.6
|
|
|
₩34,741.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩34,678.8
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
250
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩7,909.2
-
637재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
637재고 상태
|
|
|
₩7,909.2
|
|
|
₩5,647.2
|
|
|
₩4,243.2
|
|
|
₩4,087.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,932.8
|
|
|
₩3,463.2
|
|
|
₩2,932.8
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩6,286.8
-
693재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT190R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693재고 상태
|
|
|
₩6,286.8
|
|
|
₩3,198
|
|
|
₩2,901.6
|
|
|
₩2,386.8
|
|
|
₩1,965.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,959.2
-
693재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693재고 상태
|
|
|
₩5,959.2
|
|
|
₩3,010.8
|
|
|
₩2,730
|
|
|
₩2,730
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 100
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,368
-
652재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT350R70GTK
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
652재고 상태
|
|
|
₩4,368
|
|
|
₩2,152.8
|
|
|
₩1,934.4
|
|
|
₩1,553.8
|
|
|
₩1,297.9
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,497.6
|
|
|
₩1,185.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG212QTR
- STMicroelectronics
-
1:
₩4,617.6
-
699재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG212QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
699재고 상태
|
|
|
₩4,617.6
|
|
|
₩3,463.2
|
|
|
₩3,166.8
|
|
|
₩2,839.2
|
|
|
₩2,418
|
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보기
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3,000
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게이트 드라이버 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624YREQR
- Texas Instruments
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1:
₩10,015.2
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1,800재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
595-LMG3624YREQR
신제품
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Texas Instruments
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게이트 드라이버 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
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1,800재고 상태
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₩10,015.2
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대한민국
