GaN 반도체

결과: 680
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN 비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

STMicroelectronics 게이트 드라이버 High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 비재고 리드 타임 40 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Microchip Technology RF 증폭기 2.7-3.5 GHz 70W GaN PA MMIC
재고 없음
최소: 1
배수: 1

Texas Instruments 게이트 드라이버 Automotive 7A and 5A single-channel gate 비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 105mohm GaN hal f-bridge with integ
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 95mohm GaN half -bridge with integr 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 SMART 140 MOHM E-GAN FET WITH DRIVER 19-VQFN 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 50mohm GaN FET with integrated driv 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 35m? TOLL-packa ged GaN FET with in 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 70m? TOLL-packa ged GaN FET with in 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 5A/5A dual-channel g ate driver with 4V 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000