|
|
GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP70H300G4LSGH-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
₩1,076.4
-
비재고 리드 타임 18 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP70H300G4LSGHTR
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩1,076.4
|
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|
₩1,048.3
|
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₩975
|
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최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
|
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GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H480G4JSG-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
₩898.6
-
비재고 리드 타임 18 주
|
Mouser 부품 번호
227-TP70H480G4JSG-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩898.6
|
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|
₩837.7
|
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최소: 5,000
배수: 5,000
:
5,000
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|
GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
- TP70H480G4JSGB-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
₩898.6
-
비재고 리드 타임 18 주
|
Mouser 부품 번호
227-TP70H480G4JSGBTR
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
|
₩898.6
|
|
|
₩837.7
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
- TP70H480G4ZS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
₩3,525.6
-
비재고 리드 타임 18 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
227-TP70H480G4ZSTR
신제품
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
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|
₩3,525.6
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₩2,215.2
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₩1,457
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₩1,156
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₩900.1
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보기
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₩1,060.8
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₩789.4
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최소: 1
배수: 1
:
2,500
|
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|
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN1L
- STMicroelectronics
-
1,560:
₩8,049.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN1L
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,560
배수: 1,560
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
- MASTERGAN3
- STMicroelectronics
-
1,560:
₩6,458.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN3
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,560
배수: 1,560
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
- MASTERGAN4L
- STMicroelectronics
-
1,560:
₩6,349.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN4L
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,560
배수: 1,560
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
- MASTERGAN5TR
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩7,098
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
511-MASTERGAN5TR
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG611QTR
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩3,073.2
-
비재고 리드 타임 40 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STDRIVEG611QTR
신제품
|
STMicroelectronics
|
게이트 드라이버 High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
비재고 리드 타임 40 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
RF 증폭기 2.7-3.5 GHz 70W GaN PA MMIC
- ICP0349PP7-1-300I
- Microchip Technology
-
1:
₩1,099,987.2
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
579-ICP0349PP71300I
|
Microchip Technology
|
RF 증폭기 2.7-3.5 GHz 70W GaN PA MMIC
|
|
재고 없음
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 Automotive 7A and 5A single-channel gate
- LMG1020QYBVRQ1
- Texas Instruments
-
3,000:
₩9,141.6
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG1020QYBVRQ1
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 Automotive 7A and 5A single-channel gate
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 105mohm GaN hal f-bridge with integ
- LMG2640RRGR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩13,275.6
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG2640RRGR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 105mohm GaN hal f-bridge with integ
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 95mohm GaN half -bridge with integr
- LMG2650RFBR
- Texas Instruments
-
1:
₩24,850.8
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG2650RFBR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 95mohm GaN half -bridge with integr
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩24,850.8
|
|
|
₩19,453.2
|
|
|
₩18,111.6
|
|
|
₩16,629.6
|
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보기
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|
|
₩13,977.6
|
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|
₩16,473.6
|
|
|
₩16,458
|
|
|
₩13,977.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 SMART 140 MOHM E-GAN FET WITH DRIVER 19-VQFN
- LMG2652HRFBR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩10,764
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG2652HRFBR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 SMART 140 MOHM E-GAN FET WITH DRIVER 19-VQFN
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT
- LMG3411R050RWHR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩15,678
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3411R050RWHR
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩15,678
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT
- LMG3422R030RQZR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩20,436
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3422R030RQZR
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
- LMG3422R050RQZR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩15,054
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3422R050RQZR
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩15,054
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT
- LMG3425R030RQZR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩24,663.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3425R030RQZR
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
- LMG3427R030RQZR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩17,487.6
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3427R030RQZR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 600V 50mohm GaN FET with integrated driv
- LMG3427R050RQZR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩13,150.8
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3427R050RQZR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 600V 50mohm GaN FET with integrated driv
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
- LMG3526R030RQSR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩24,648
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3526R030RQSR
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩24,648
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in
- LMG3650R025KLAR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩18,876
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3650R025KLAR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 35m? TOLL-packa ged GaN FET with in
- LMG3650R035KLAR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩14,726.4
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3650R035KLAR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 35m? TOLL-packa ged GaN FET with in
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩14,726.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 650V 70m? TOLL-packa ged GaN FET with in
- LMG3650R070KLAR
- Texas Instruments
-
2,000:
₩15,163.2
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-LMG3650R070KLAR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 650V 70m? TOLL-packa ged GaN FET with in
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩15,163.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
게이트 드라이버 5A/5A dual-channel g ate driver with 4V
- UCC27624DSDR
- Texas Instruments
-
1:
₩2,043.6
-
비재고 리드 타임 16 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
595-UCC27624DSDR
신제품
|
Texas Instruments
|
게이트 드라이버 5A/5A dual-channel g ate driver with 4V
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩2,043.6
|
|
|
₩1,475.8
|
|
|
₩1,335.4
|
|
|
₩1,179.4
|
|
|
보기
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|
|
₩961
|
|
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₩1,106
|
|
|
₩1,060.8
|
|
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₩1,014
|
|
|
₩985.9
|
|
|
₩961
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
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