TO-3P-3 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds 148재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds 128재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 209재고 상태
600예상 2026-12-18
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3


Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 228재고 상태
300예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors 정류기 Dual ultrafast power diode 474재고 상태
최소: 1
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT NPN TO-3P POWER TRANS 76재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3) 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 230V 15A
25,349주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3

Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier 319재고 상태
최소: 1
배수: 1

Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
537주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
300예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor NPN 230V 15A
1,600예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO
2,991주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 60

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP 230V 15A
4,451예상 2026-10-12
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
26예상 2027-03-19
최소: 1
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SCRs Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics SCR 50 Amp 800 Volt 리드 타임 16 주
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배수: 1

SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 20 Amps 600V 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS 소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1

Small Signal Switching Diodes Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET 비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET 비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3) 재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3