|
|
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
- IXTQ75N10P
- IXYS
-
1:
₩11,668.8
-
148재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ75N10P
|
IXYS
|
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
|
|
148재고 상태
|
|
|
₩11,668.8
|
|
|
₩6,115.2
|
|
|
₩5,600.4
|
|
|
₩5,132.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
- IXTQ96N20P
- IXYS
-
1:
₩9,796.8
-
128재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ96N20P
|
IXYS
|
MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds
|
|
128재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SC5200-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
₩7,269.6
-
209재고 상태
-
600예상 2026-12-18
|
Mouser 부품 번호
757-2SC5200-OS1F
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
209재고 상태
600예상 2026-12-18
|
|
|
₩7,269.6
|
|
|
₩4,149.6
|
|
|
₩3,385.2
|
|
|
₩2,776.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,433.6
|
|
|
₩2,402.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
- TTC0002(Q)
- Toshiba
-
1:
₩7,675.2
-
228재고 상태
-
300예상 2026-11-16
|
Mouser 부품 번호
757-TTC0002Q
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
|
|
228재고 상태
300예상 2026-11-16
|
|
|
₩7,675.2
|
|
|
₩5,054.4
|
|
|
₩3,572.4
|
|
|
₩2,932.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,558.4
|
|
|
₩2,496
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
정류기 Dual ultrafast power diode
- BYV415K-600PQ
- WeEn Semiconductors
-
1:
₩5,101.2
-
474재고 상태
|
Mouser 부품 번호
771-BYV415K-600P
|
WeEn Semiconductors
|
정류기 Dual ultrafast power diode
|
|
474재고 상태
|
|
|
₩5,101.2
|
|
|
₩3,322.8
|
|
|
₩1,996.8
|
|
|
₩1,981.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,950
|
|
|
₩1,887.6
|
|
|
₩1,856.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
- NJW44H11G
- onsemi
-
1:
₩5,787.6
-
76재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW44H11G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN TO-3P POWER TRANS
|
|
76재고 상태
|
|
|
₩5,787.6
|
|
|
₩3,166.8
|
|
|
₩2,574
|
|
|
₩2,152.8
|
|
|
₩1,903.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
- IXFQ72N30X3
- IXYS
-
1:
₩21,699.6
-
4재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ72N30X3
|
IXYS
|
MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
|
|
4재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
- IXTQ120N15P
- IXYS
-
1:
₩19,250.4
-
12재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ120N15P
|
IXYS
|
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
|
|
12재고 상태
|
|
|
₩19,250.4
|
|
|
₩13,930.8
|
|
|
₩10,405.2
|
|
|
₩10,062
|
|
|
₩9,937.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN 230V 15A
- 2SC5200-O(Q)
- Toshiba
-
1:
₩7,909.2
-
25,349주문 중
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
757-2SC5200-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT NPN 230V 15A
|
|
25,349주문 중
주문 중:
8,449 예상 2026-09-04
4,500 예상 2026-09-18
12,400 예상 2027-01-08
|
|
|
₩7,909.2
|
|
|
₩5,179.2
|
|
|
₩3,868.8
|
|
|
₩3,229.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,995.2
|
|
|
₩2,808
|
|
|
₩2,542.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
정류기 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- HER3003PT C0
- Taiwan Semiconductor
-
1:
₩5,023.2
-
319재고 상태
-
공장 상태 검증
|
Mouser 부품 번호
821-HER3003PTC0
공장 상태 검증
|
Taiwan Semiconductor
|
정류기 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
|
|
319재고 상태
|
|
|
₩5,023.2
|
|
|
₩3,260.4
|
|
|
₩2,262
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,887.6
|
|
|
₩1,731.6
|
|
|
₩1,638
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Rectifiers
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
- IXTQ10P50P
- IXYS
-
1:
₩7,862.4
-
537주문 중
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ10P50P
|
IXYS
|
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
|
|
537주문 중
주문 중:
237 예상 2027-01-20
300 예상 2027-02-10
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 40 Amps 500V
- IXTQ40N50L2
- IXYS
-
1:
₩37,596
-
300예상 2026-12-02
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ40N50L2
|
IXYS
|
MOSFET 40 Amps 500V
|
|
300예상 2026-12-02
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT Transistor NPN 230V 15A
- 2SC5359-O(Q)
- Toshiba
-
1:
₩7,332
-
1,600예상 2026-11-16
|
Mouser 부품 번호
757-2SC5359-O(Q)
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT Transistor NPN 230V 15A
|
|
1,600예상 2026-11-16
|
|
|
₩7,332
|
|
|
₩4,851.6
|
|
|
₩3,416.4
|
|
|
₩2,854.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO
- NJW3281G
- onsemi
-
1:
₩7,800
-
2,991주문 중
|
Mouser 부품 번호
863-NJW3281G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200 W BETA AUDIO
|
|
2,991주문 중
주문 중:
1,581 예상 2026-09-01
1,410 예상 2026-11-20
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT PNP 230V 15A
- 2SA1943-O(Q)
- Toshiba
-
1:
₩6,864
-
4,451예상 2026-10-12
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
757-2SA1943-O(Q)
NRND
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT PNP 230V 15A
|
|
4,451예상 2026-10-12
|
|
|
₩6,864
|
|
|
₩4,524
|
|
|
₩3,244.8
|
|
|
₩2,667.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,308.8
|
|
|
₩2,246.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
- CMA50E1600QB
- IXYS
-
1:
₩13,899.6
-
26예상 2027-03-19
|
Mouser 부품 번호
747-CMA50E1600QB
|
IXYS
|
SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
|
|
26예상 2027-03-19
|
|
|
₩13,899.6
|
|
|
₩8,704.8
|
|
|
₩7,675.2
|
|
|
₩7,347.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 800 Volt
- BTW69-800RG
- STMicroelectronics
-
1:
₩11,091.6
-
리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
511-BTW69-800
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 800 Volt
|
|
리드 타임 16 주
|
|
|
₩11,091.6
|
|
|
₩6,364.8
|
|
|
₩5,319.6
|
|
|
₩4,960.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 20 Amps 600V
- DHG20C600QB
- IXYS
-
1:
₩8,876.4
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-DHG20C600QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 20 Amps 600V
|
|
재고 없음
|
|
|
₩8,876.4
|
|
|
₩5,818.8
|
|
|
₩4,274.4
|
|
|
₩3,790.8
|
|
|
₩3,369.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V
- DPG60IM400QB
- IXYS
-
1:
₩13,150.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60IM400QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
|
₩13,150.8
|
|
|
₩8,268
|
|
|
₩7,285.2
|
|
|
₩7,035.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ22N60P3
- IXYS
-
300:
₩10,810.8
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ22N60P3
|
IXYS
|
MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
- IXFQ24N60X
- IXYS
-
1:
₩13,790.4
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ24N60X
|
IXYS
|
MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
|
|
재고 없음
|
|
|
₩13,790.4
|
|
|
₩9,718.8
|
|
|
₩7,846.8
|
|
|
₩6,973.2
|
|
|
₩6,177.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFQ28N60P3
- IXYS
-
300:
₩7,534.8
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ28N60P3
|
IXYS
|
MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
|
₩7,534.8
|
|
|
₩7,035.6
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
- IXFQ30N60X
- IXYS
-
1:
₩14,866.8
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ30N60X
|
IXYS
|
MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
|
|
재고 없음
|
|
|
₩14,866.8
|
|
|
₩10,155.6
|
|
|
₩8,361.6
|
|
|
₩7,456.8
|
|
|
₩6,973.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- IXFQ34N50P3
- IXYS
-
1:
₩17,908.8
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ34N50P3
|
IXYS
|
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
|
₩17,908.8
|
|
|
₩12,667.2
|
|
|
₩9,500.4
|
|
|
₩9,469.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFQ50N50P3
- IXYS
-
300:
₩11,622
-
비재고 리드 타임 27 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXFQ50N50P3
|
IXYS
|
MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
비재고 리드 타임 27 주
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|