|
|
MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
- IXTQ26P20P
- IXYS
-
1:
₩7,862.4
-
380재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ26P20P
|
IXYS
|
MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
|
|
380재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
- IXTQ36P15P
- IXYS
-
1:
₩7,862.4
-
1,661재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ36P15P
|
IXYS
|
MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
|
|
1,661재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
- IXTQ52P10P
- IXYS
-
1:
₩7,862.4
-
292재고 상태
-
300예상 2026-12-28
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ52P10P
|
IXYS
|
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
|
|
292재고 상태
300예상 2026-12-28
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
- IXTQ88N30P
- IXYS
-
1:
₩25,116
-
263재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ88N30P
|
IXYS
|
MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
|
|
263재고 상태
|
|
|
₩25,116
|
|
|
₩14,242.8
|
|
|
₩13,993.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SA1943N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
₩6,224.4
-
2,370재고 상태
-
3,600예상 2026-11-16
|
Mouser 부품 번호
757-2SA1943N(S1ES)
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
2,370재고 상태
3,600예상 2026-11-16
|
|
|
₩6,224.4
|
|
|
₩3,151.2
|
|
|
₩2,496
|
|
|
₩2,324.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,012.4
|
|
|
₩1,934.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
- 2SC5200N(S1,E,S)
- Toshiba
-
1:
₩5,787.6
-
1,985재고 상태
-
2,825예상 2027-01-15
|
Mouser 부품 번호
757-2SC5200N(S1ES)
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
|
|
1,985재고 상태
2,825예상 2027-01-15
|
|
|
₩5,787.6
|
|
|
₩3,244.8
|
|
|
₩2,620.8
|
|
|
₩2,137.2
|
|
|
₩2,074.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
- NJW0281G
- onsemi
-
1:
₩6,895.2
-
1,566재고 상태
-
2,850주문 중
|
Mouser 부품 번호
863-NJW0281G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
|
|
1,566재고 상태
2,850주문 중
주문 중:
1,200 예상 2026-09-02
1,650 예상 2027-06-25
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
- NJW0302G
- onsemi
-
1:
₩6,957.6
-
2,502재고 상태
-
1,530예상 2027-06-11
|
Mouser 부품 번호
863-NJW0302G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 150W
|
|
2,502재고 상태
1,530예상 2027-06-11
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP
- NJW1302G
- onsemi
-
1:
₩9,219.6
-
5,656재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW1302G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W TO-3P PNP
|
|
5,656재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP
- NJW21193G
- onsemi
-
1:
₩7,924.8
-
706재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW21193G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W PNP
|
|
706재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN
- NJW21194G
- onsemi
-
1:
₩7,924.8
-
882재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-NJW21194G
|
onsemi
|
양극성 트랜지스터 - BJT 200W NPN
|
|
882재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 60
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
- 2SA1943-O(S1,F
- Toshiba
-
1:
₩9,016.8
-
271재고 상태
-
625예상 2026-08-31
|
Mouser 부품 번호
757-2SA1943-OS1F
|
Toshiba
|
양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
|
|
271재고 상태
625예상 2026-08-31
|
|
|
₩9,016.8
|
|
|
₩5,896.8
|
|
|
₩4,399.2
|
|
|
₩3,681.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,416.4
|
|
|
₩3,198
|
|
|
₩2,901.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
IGBT 600V/30A DIS
- GT30J121(Q)
- Toshiba
-
1:
₩7,222.8
-
134재고 상태
|
Mouser 부품 번호
757-GT30J121(Q)
|
Toshiba
|
IGBT 600V/30A DIS
|
|
134재고 상태
|
|
|
₩7,222.8
|
|
|
₩4,773.6
|
|
|
₩3,744
|
|
|
₩2,761.2
|
|
|
₩2,730
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
- BTW69-1200RG
- STMicroelectronics
-
1:
₩11,294.4
-
63재고 상태
-
4,200주문 중
|
Mouser 부품 번호
511-BTW69-1200
|
STMicroelectronics
|
SCR 50 Amp 1200 Volt
|
|
63재고 상태
4,200주문 중
주문 중:
2,400 예상 2026-10-19
1,800 예상 2026-12-29
|
|
|
₩11,294.4
|
|
|
₩6,536.4
|
|
|
₩5,460
|
|
|
₩4,773.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
SCR 40 Amp 600 Volt
- BTW69-600RG
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,670.4
-
659재고 상태
-
2,400주문 중
|
Mouser 부품 번호
511-BTW69-600
|
STMicroelectronics
|
SCR 40 Amp 600 Volt
|
|
659재고 상태
2,400주문 중
주문 중:
600 예상 2026-11-09
1,800 예상 2027-03-22
|
|
|
₩10,670.4
|
|
|
₩6,099.6
|
|
|
₩5,101.2
|
|
|
₩4,711.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 120 Amps 300V
- DPG120C300QB
- IXYS
-
1:
₩21,340.8
-
28재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-DPG120C300QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 120 Amps 300V
|
|
28재고 상태
|
|
|
₩21,340.8
|
|
|
₩11,965.2
|
|
|
₩11,434.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V
- DPG60C200QB
- IXYS
-
1:
₩13,634.4
-
8재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60C200QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 200V
|
|
8재고 상태
|
|
|
₩13,634.4
|
|
|
₩7,254
|
|
|
₩6,661.2
|
|
|
₩6,302.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V
- DPG60C300QB
- IXYS
-
1:
₩13,868.4
-
9재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60C300QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 300V
|
|
9재고 상태
|
|
|
₩13,868.4
|
|
|
₩7,675.2
|
|
|
₩7,051.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V
- DPG60C400QB
- IXYS
-
1:
₩15,147.6
-
30재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-DPG60C400QB
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 60 Amps 400V
|
|
30재고 상태
|
|
|
₩15,147.6
|
|
|
₩8,143.2
|
|
|
₩7,503.6
|
|
|
₩7,238.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
Small Signal Switching Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
- IXTQ110N10P
- IXYS
-
1:
₩7,597.2
-
69재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ110N10P
|
IXYS
|
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
|
|
69재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
- IXTQ14N60P
- IXYS
-
1:
₩5,007.6
-
220재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ14N60P
|
IXYS
|
MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
|
|
220재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
- IXTQ22N60P
- IXYS
-
1:
₩15,553.2
-
34재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ22N60P
|
IXYS
|
MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
|
|
34재고 상태
|
|
|
₩15,553.2
|
|
|
₩10,077.6
|
|
|
₩7,737.6
|
|
|
₩7,503.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
- IXTQ460P2
- IXYS
-
1:
₩13,587.6
-
130재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ460P2
|
IXYS
|
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
|
|
130재고 상태
|
|
|
₩13,587.6
|
|
|
₩7,238.4
|
|
|
₩6,645.6
|
|
|
₩6,271.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
- IXTQ50N20P
- IXYS
-
1:
₩11,668.8
-
8재고 상태
-
300예상 2027-02-22
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ50N20P
|
IXYS
|
MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
|
|
8재고 상태
300예상 2027-02-22
|
|
|
₩11,668.8
|
|
|
₩6,115.2
|
|
|
₩5,600.4
|
|
|
₩5,116.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|
|
|
MOSFET TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
- IXTQ60N20T
- IXYS
-
1:
₩4,960.8
-
274재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTQ60N20T
|
IXYS
|
MOSFET TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
|
|
274재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3P-3
|
|