PDFN-8 반도체

결과: 36
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
YAGEO XSemi MOSFET N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms 비재고 리드 타임 22 주
릴
₩474.9
₩463.6
₩459.4
₩435.4
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
컷 테이프
₩9,512.1
₩5,059
₩4,622.2
₩4,312.2
₩3,959.9
릴
₩3,734.4
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
릴
₩7,849.2
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88 비재고 리드 타임 26 주
릴
₩11,710.5
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 비재고 리드 타임 18 주
컷 테이프
₩7,102.4
₩6,581
₩4,072.6
릴
₩4,072.6
₩4,002.1
최소: 1
배수: 1
: 250
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 비재고 리드 타임 18 주
컷 테이프
₩8,737
₩5,820
₩5,397.2
릴
₩5,397.2
₩5,326.8
최소: 1
배수: 1
: 250
Infineon Technologies GaN FET LEGACY GAN SYSTEMS 비재고 리드 타임 18 주
컷 테이프
₩10,681.7
₩5,735.4
₩4,594
릴
₩4,594
₩4,410.8
최소: 1
배수: 1
: 250
MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM RF 증폭기 Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
비재고 리드 타임 22 주
릴
₩79,915.7
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
iDEAL Semiconductor MOSFET 비재고 리드 타임 12 주
릴
₩1,606.5
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000
Taiwan Semiconductor GaN FET 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 비재고 리드 타임 30 주
컷 테이프
₩20,010.6
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000
Taiwan Semiconductor GaN FET 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 비재고 리드 타임 30 주
컷 테이프
₩11,301.8
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000