933 MHz 반도체

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ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.5V DDR3 A-Temp 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ COMMERCIAL TEMP T&R, C Die(MT41K512M16HA-125:A) 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, C Die (MT41K512M16HA-125IT:A) 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8G, 1G X 8, 1.35V, 78-ball FBGA, 1866 Mhz, Automotive Temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Commercial Temp - Tray 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 Commercial Temp Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 242
배수: 242

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-ball FBGA, 933Mhz, Auto Temp, T&R, A Die 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-ball FBGA, 933Mhz, Auto Temp, A Die 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1