933 MHz 반도체

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ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3
190예상 2027-08-10
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
1,500예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1
: 1,500

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
136주문 중
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 220
배수: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Industrial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Commercial Temp 재고 없음
최소: 10
배수: 10

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial N/A
최소: 1
배수: 1

Infineon Technologies CY7C4042KV13-933FCXC
Infineon Technologies SRAM SYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 600
배수: 600

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,900
배수: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,900
배수: 1,900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420