1.6 GHz 반도체

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp, Rev.A - Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Industrial Temp, Rev.A - Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

Alliance Memory AS4C128M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 2Gb, 128M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 680
배수: 136

Alliance Memory AS4C256M16MD4V-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 4Gb, 256M x 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP 비재고 리드 타임 30 주
최소: 680
배수: 136

Alliance Memory AS4C64M32MD4-062BAN
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 2G, 64M x 32, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, Automotive Temp - Tray 비재고 리드 타임 30 주
최소: 680
배수: 136

Alliance Memory AS4C512M16D4A-62BAN
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 512M x 16, 1.2V, 96-ball FBGA, 1600Mhz,Automotive Temp Rev.A 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1