CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G1 SiC 트렌치 MOSFET은 EV 제조업체가 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성을 향상시킨 11kW 및 22kW 양방향 보드 내장형 충전기를 개발하는 데 기여합니다. 이 장치는 Infineon의 독자적인 기술을 적용하여 고온(Tj,max +175°C)에서도 안정적으로 작동합니다. 동일 다이 크기 기준 동급 최고 수준의 열 임피던스를 제공하는 XT 다이 부착 기술입니다.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
데이터시트
271재고 상태
₩33,764.4
₩21,067.5
₩19,785.2
₩19,545.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
데이터시트
240예상 2027-05-13
₩25,337.4
₩18,756.5
₩13,951.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
데이터시트
리드 타임 52 주
₩32,017
₩22,476.7
₩17,826.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
데이터시트
리드 타임 52 주
₩16,205.8
₩10,766.3
₩9,991.2
₩9,328.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement