LMG3612REQR

Texas Instruments
595-LMG3612REQR
LMG3612REQR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 SINGLE-CHANNEL 650-V 120-MOHM GAN FET

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Texas Instruments
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
REACH - SVHC:
Power Switch ICs
Driver
SMD/SMT
VQFN-38
1 Output
23.34 A
10 V
26 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3612
브랜드: Texas Instruments
습도에 민감: Yes
제품 유형: Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 2000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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규정 준수 코드
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
미국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

LMG3612 단일 채널 GaN FET

Texas Instruments  LMG3612 단일 채널 GaN FET는 스위치 모드 전원 공급 장치 애플리케이션용으로 설계된 통합 드라이버와 함께 650V 드레인 소스 전압과 120mΩ 드레인 소스 저항을 제공합니다. 이 IC는  GaN FET, 게이트 드라이버 및 보호 기능을  8mm x 5.3mm QFN 패키지에 결합합니다. LMG3612 GaN FET는 전력 변환기 스위칭에 필요한 시간과 에너지를 줄이는 낮은 출력 용량성 전하를 특징으로 합니다. 이 트랜지스터의 내부 게이트 드라이버는 최적의 GaN FET 온저항을 위해 구동 전압을 조절합니다. 내부 게이트 드라이버는 CMTI(공통 모드 과도 내성)를 포함한 향상된 스위칭 성능을 위해 총 게이트 인덕턴스와 GaN FET 공통 소스 인덕턴스를 줄입니다. LMG3612 GaN FET는 55µA의 낮은 대기 전류와 빠른 시동 시간으로 컨버터 경부하 효율 요구 사항과 버스트 모드 작동을 지원합니다.

재고 상태: 1,870

재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩13,572 ₩13,572
₩9,890.4 ₩98,904
₩9,500.4 ₩237,510
₩7,690.8 ₩769,080
₩7,534.8 ₩1,883,700
₩6,552 ₩3,276,000
₩6,349.2 ₩6,349,200
₩6,333.6 ₩12,667,200

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