750V N-채널 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET은 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 구성 요소의 부피를 줄일 수 있습니다. 이러한 SiC MOSFET은 TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-247-4L 패키지로 제공됩니다. 이 디바이스는 정적 드레인-소스 온 저항 [RDS(on)] (typ.)이 13mΩ ~ 65mΩ이며, 연속 드레인(ID) 및 소스 전류 (IS) (TC=25°C)는 22A ~ 120A입니다. 이러한 ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET은 SiC 기술의 고유한 특성을 활용하여 높은 내전압, 낮은 온 상태 저항 및 고속 스위칭 특성을 제공합니다.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 623재고 상태
₩31,855.2
₩20,046
₩19,718.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 438재고 상태
₩52,665.6
₩40,435.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC 641재고 상태
₩44,272.8
₩33,696
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 2,004재고 상태
컷 테이프
₩28,173.6
₩17,362.8
₩17,175.6
릴
₩16,426.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 311재고 상태
₩21,465.6
₩12,729.6
₩12,417.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC 279재고 상태
1,000예상 2026-10-26
컷 테이프
₩49,530
₩35,583.6
₩35,568
₩35,552.4
릴
₩33,696
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 1,946재고 상태
컷 테이프
₩19,250.4
₩10,857.6
₩10,686
₩10,420.8
릴
₩10,046.4
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 120A SIC 900재고 상태
컷 테이프
₩54,662.4
₩40,263.6
₩40,248
₩38,438.4
₩38,126.4
릴
₩38,126.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 C 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 46A SIC 1,990재고 상태
컷 테이프
₩26,348.4
₩15,927.6
₩15,069.6
릴
₩15,069.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 C 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 37A SIC 1,941재고 상태
컷 테이프
₩23,025.6
₩13,369.2
₩12,651.6
릴
₩12,651.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 C 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 80A SIC 490재고 상태
컷 테이프
₩39,764.4
₩26,956.8
₩26,847.6
₩25,521.6
릴
₩25,521.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 C 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 439재고 상태
₩22,323.6
₩13,556.4
₩12,074.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 410재고 상태
₩19,656
₩11,793.6
₩10,233.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive 1,000재고 상태
컷 테이프
₩19,515.6
₩13,572
₩10,795.2
릴
₩10,140
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 450재고 상태
₩16,723.2
₩9,079.2
₩8,392.8
₩8,330.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 26A SIC 970재고 상태
컷 테이프
₩19,110
₩10,748.4
₩10,498.8
₩9,921.6
릴
₩9,921.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET 440재고 상태
₩13,915.2
₩8,158.8
₩7,098
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1,000재고 상태
컷 테이프
₩14,258.4
₩9,734.4
₩7,176
₩7,144.8
릴
₩6,708
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC 1,439재고 상태
컷 테이프
₩30,014.4
₩22,869.6
₩19,063.2
₩16,988.4
릴
₩15,849.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TOLL 750V 61A SIC 92재고 상태
컷 테이프
₩31,839.6
₩20,311.2
₩20,217.6
₩19,219.2
릴
₩19,219.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 C 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC 428재고 상태
₩22,963.2
₩13,431.6
₩12,058.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC 67재고 상태
50예상 2026-10-26
₩32,463.6
₩19,718.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 23재고 상태
1,000주문 중
컷 테이프
₩19,203.6
₩11,044.8
₩10,717.2
₩10,108.8
릴
₩9,562.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement