1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 이산 트랜지스터

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 이산 트랜지스터는 마이크로 패턴 트렌치 기술로 설계된 7세대 1,200V TRENCHSTOP™ IGBT입니다. 이 이산 IGBT는 혹독한 환경에서 높은 수준의 제어성, 낮은 전도 손실, 낮은 스위칭 손실, 향상된 EMI 성능, 가혹한 환경에서의 습도 견고성을 제공합니다. IGBT7 H7 이산 트랜지스터를 사용하면 우수한 스위칭 동작을 유지하면서 낮은 게이트 저항기(5Ω 미만)를 선택할 수 있습니다. 이 트랜지스터는 고속 EV 충전, 산업용 난방 및 용접, UPS(무정전 전원 장치) 애플리케이션에 사용됩니다.

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Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
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IGBT7 H7 Tube
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Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
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IGBT7 H7 Tube
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