CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터

Infineon Technologies  CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 최대 650V의 전압 범위에서 전력 변환을 위한 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 특징으로 합니다. Infineon의 GaN 기술은 대량의 엔드 투 엔드 생산을 통해 e-모드의 개념을 성숙하게 합니다 이 선구적인 품질은 최고의 표준을 보장하고 가장 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다. 강화 모드 CoolGaN™ Gen 2 650V 전력 트랜지스터는 초고속 스위칭으로 시스템 효율과 전력 밀도를 개선합니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 기술
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,511재고 상태
컷 테이프
₩5,495.9
₩2,790.2
₩2,522.5
₩2,071.5
₩1,987
릴
₩1,676.9
최소: 1
배수: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,815재고 상태
컷 테이프
₩4,044.4
₩2,001.1
₩1,803.8
₩1,451.5
릴
₩1,133
최소: 1
배수: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,699재고 상태
컷 테이프
₩3,523
₩1,719.2
₩1,465.6
₩1,221.8
릴
₩959.7
최소: 1
배수: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,547재고 상태
1,800예상 2026-12-17
컷 테이프
₩15,078.4
₩8,370.6
₩7,947.9
₩6,496.4
릴
₩6,482.3
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 798재고 상태
1,800예상 2026-11-19
컷 테이프
₩11,146.8
₩6,566.9
₩6,031.4
₩5,890.5
₩4,847.6
릴
₩4,833.6
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,163재고 상태
컷 테이프
₩7,031.9
₩4,114.9
₩3,438.4
₩2,888.9
릴
₩2,240.6
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 556재고 상태
800예상 2026-11-19
컷 테이프
₩18,911.5
₩12,598.2
₩11,668.2
₩10,118.1
릴
₩8,483.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 453재고 상태
800예상 2026-11-30
컷 테이프
₩15,543.5
₩8,652.5
₩8,257.9
₩6,750.1
릴
₩6,736
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,228재고 상태
컷 테이프
₩12,443.2
₩6,778.3
₩6,073.7
릴
₩5,369.1
₩5,030.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 583재고 상태
컷 테이프
₩10,385.8
₩5,566.3
₩5,101.3
₩4,100.8
릴
₩3,959.9
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
23,319주문 중
컷 테이프
₩17,981.4
₩10,160.3
₩10,005.3
₩8,173.4
릴
₩8,159.3
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
5,400주문 중
컷 테이프
₩10,301.3
₩5,707.3
₩5,228.1
₩4,932.2
₩3,818.9
릴
₩3,818.9
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN