NDSH20120C

onsemi
863-NDSH20120C
NDSH20120C

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
onsemi NDSH20120C에 대해 자세히 알아보십시오.

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.38 V
119 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
1.2 kV
NDSH20120C
Tube
브랜드: onsemi
Pd - 전력 발산: 214 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Diodes & Rectifiers
상표명: EliteSiC
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

규정 준수 코드
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
대한민국
어셈블리 원산지:
중국
COD(확산 공정 국가):
대한민국
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

D3 EliteSiC 다이오드

onsemi  D3 EliteSiC 다이오드는 고전력 PFC 및 출력 정류가 필요한 애플리케이션을 위한 솔루션입니다.  onsemi  D3의 최대 정격 전압은 1,200V입니다. 이 다이오드는 TO-247-2LD 및 TO-247-3LD의 두 가지 패키지 옵션으로 제공되므로 다양한 설계에 유연성을 제공합니다. D3 EliteSiC 다이오드는 직렬 저항 온도 종속성이 낮은 것으로 하여 고온 작동에 맞게 최적화되었으며 극한 조건에서도 일관되고 신뢰할 수 있는 성능을 보장합니다.

NDSH20120C SiC(탄화 규소) 다이오드

Onsemi NDSH20120C SiC(탄화 규소) DiButton 는 실리콘보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰도를 제공합니다. onsemi NDSH20120C는 역회복 전류가 없고 온도에 독립적인 스위칭 특성이 있으며 열 성능이 우수합니다. 높은 효율, 빠른 작동 주파수, 전력 밀도 증가, EMI 감소, 시스템 크기 감소 및 비용 절감 효과를 거둘 수 있습니다.

재고 상태: 154

재고:
154 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
18 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩14,773.2 ₩14,773
₩10,483.2 ₩104,832
₩8,455.2 ₩1,014,624
₩7,768.8 ₩3,962,088

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.