SiC MOSFET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 및 1200V 3세대 탄화 규소 MOSFET

Toshiba 650V 및 1200V 3세대 탄화 규소 MOSFET는 400V 및 800V AC 입력 AC-DC 전원장치, PV(태양광) 인버터, UPS무정전 전원 장치)용 양방향 DC-DC 컨버터와 같은 고출력 산업용 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 Toshiba MOSFET은 SiC 기술을 활용하여 전력 소비를 줄이고 전력 밀도를 향상시키는 데 크게 기여합니다. 이 기술은 더 높은 전압, 더 빠른 스위칭 및 더 낮은 온 사항 저항을 가능하게 합니다. 이 설계는 낮은 입력 정전용량, 공통 게이트-입력 전하, 최저 15mΩ의 낮은 드레인-소스 온 상태 저항 외에도 향상된 신뢰성을 제공합니다.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 24

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

Pd - 전력 발산

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신제품

RoHS 준수

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

부품 번호

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW031V65C,LQ
Toshiba
1: ₩18,142.8
2,500재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
TW031V65C,LQ

Mouser 부품 번호
757-TW031V65CLQ

신제품

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

2,500재고 상태

컷 테이프

₩18,142.8

₩13,447.2

릴

₩13,447.2

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

45 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW054V65C,LQ
Toshiba
1: ₩14,180.4
2,480재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
TW054V65C,LQ

Mouser 부품 번호
757-TW054V65CLQ

신제품

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

2,480재고 상태

컷 테이프

₩14,180.4

₩9,734.4

릴

₩9,734.4

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

81 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW092V65C,LQ
Toshiba
1: ₩11,778
2,493재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
TW092V65C,LQ

Mouser 부품 번호
757-TW092V65CLQ

신제품

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

2,493재고 상태

컷 테이프

₩11,778

₩7,956

₩7,597.2

릴

₩7,597.2

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

136 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW123V65C,LQ
Toshiba
1: ₩9,344.4
2,500재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
TW123V65C,LQ

Mouser 부품 번호
757-TW123V65CLQ

신제품

Toshiba

SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

2,500재고 상태

컷 테이프

₩9,344.4

₩6,255.6

₩5,584.8

릴

₩5,584.8

최소: 1
배수: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

183 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z65C,S1F
Toshiba
1: ₩26,863.2
142재고 상태

제조업체 부품 번호
TW015Z65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW015Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

142재고 상태

₩26,863.2

₩23,010

₩22,105.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

TW030Z120C,S1F
Toshiba
1: ₩18,860.4
23재고 상태
30주문 중

제조업체 부품 번호
TW030Z120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW030Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

23재고 상태

30주문 중

₩18,860.4

₩13,962

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

30 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z120C,S1F
Toshiba
1: ₩30,997.2
20재고 상태
60예상 2026-10-16

제조업체 부품 번호
TW015Z120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW015Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

20재고 상태

60예상 2026-10-16

₩30,997.2

₩26,566.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

+ 175 C

431 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

TW045Z120C,S1F
Toshiba
1: ₩17,643.6
32재고 상태

제조업체 부품 번호
TW045Z120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW045Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

32재고 상태

₩17,643.6

₩12,979.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

TW048Z65C,S1F
Toshiba
1: ₩12,526.8
52재고 상태

제조업체 부품 번호
TW048Z65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW048Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

52재고 상태

₩12,526.8

₩8,252.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

48 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

TW060Z120C,S1F
Toshiba
1: ₩16,411.2
36재고 상태

제조업체 부품 번호
TW060Z120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW060Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

36재고 상태

₩16,411.2

₩11,731.2

₩11,637.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

TW107Z65C,S1F
Toshiba
1: ₩9,640.8
40재고 상태

제조업체 부품 번호
TW107Z65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW107Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

40재고 상태

₩9,640.8

₩6,552

₩5,818.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

107 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

TW140Z120C,S1F
Toshiba
1: ₩14,367.6
61재고 상태

제조업체 부품 번호
TW140Z120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW140Z120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

61재고 상태

₩14,367.6

₩9,703.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

140 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: ₩16,411.2
199재고 상태

제조업체 부품 번호
TW060N120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW060N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

199재고 상태

₩16,411.2

₩11,793.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

TW107N65C,S1F
Toshiba
1: ₩10,826.4
30재고 상태

제조업체 부품 번호
TW107N65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW107N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

30재고 상태

₩10,826.4

₩5,818.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

113 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N120C,S1F
Toshiba
1: ₩50,497.2
31재고 상태

제조업체 부품 번호
TW015N120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW015N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

31재고 상태

₩50,497.2

₩36,628.8

₩28,360.8

₩27,846

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

431 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N65C,S1F
Toshiba
1: ₩26,863.2
43재고 상태

제조업체 부품 번호
TW015N65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW015N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

43재고 상태

₩26,863.2

₩22,417.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

21 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

TW027N65C,S1F
Toshiba
1: ₩31,621.2
2재고 상태

제조업체 부품 번호
TW027N65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW027N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

2재고 상태

₩31,621.2

₩21,325.2

₩14,554.8

₩14,071.2

₩13,478.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

37 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

TW030N120C,S1F
Toshiba
1: ₩25,100.4
67재고 상태

제조업체 부품 번호
TW030N120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW030N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

67재고 상태

₩25,100.4

₩15,381.6

₩14,149.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: ₩21,184.8
111재고 상태

제조업체 부품 번호
TW045N120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW045N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

111재고 상태

₩21,184.8

₩13,010.4

₩12,979.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

TW083N65C,S1F
Toshiba
1: ₩15,069.6
15재고 상태

제조업체 부품 번호
TW083N65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW083N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

15재고 상태

₩15,069.6

₩8,845.2

₩7,269.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

145 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

TW083Z65C,S1F
Toshiba
1: ₩11,388
25재고 상태

제조업체 부품 번호
TW083Z65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW083Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

25재고 상태

₩11,388

₩7,269.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

83 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

TW140N120C,S1F
Toshiba
1: ₩14,289.6
150예상 2026-08-14

제조업체 부품 번호
TW140N120C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW140N120CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

150예상 2026-08-14

₩14,289.6

₩9,703.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

TW027Z65C,S1F
Toshiba
1: ₩16,208.4
재고 없음

제조업체 부품 번호
TW027Z65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW027Z65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

재고 없음

₩16,208.4

₩11,450.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

27 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

TW048N65C,S1F
Toshiba
1: ₩12,526.8
비재고 리드 타임 25 주

제조업체 부품 번호
TW048N65C,S1F

Mouser 부품 번호
757-TW048N65CS1F

Toshiba

SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

Toshiba 3 gen sic mosfets 에 대해

데이터시트

비재고 리드 타임 25 주

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최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

65 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

650V 및 1200V 3세대 탄화 규소 MOSFET

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