CoolSiC™ 1200V SIC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은 탄화 규소의 강력한 물리적 특성과 고유의 특징을 결합하여 장치의 성능, 견고성 및 사용 편의성을 향상시킵니다. CoolSiC 1,200V SiC 트렌치 MOSFET은   최저 애플리케이션 손실과 최고의 작동 신뢰성을 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 프로세스를 기반으로 제작됩니다. 고온 및 혹독한 환경 작동에 적합한 이 장치를 사용하면 최고의 시스템 효율로 간단하고 비용 효율적인 배포가 가능합니다.

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Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1,273재고 상태
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SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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635재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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368재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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961재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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771재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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747재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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269재고 상태
480예상 2026-08-27
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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375재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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700재고 상태
720예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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285재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1,518재고 상태
3,120예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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597재고 상태
240예상 2027-02-04
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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297재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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480예상 2026-09-10
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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173재고 상태
2,640주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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15재고 상태
960주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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43재고 상태
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2,160주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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2,877주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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711주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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960주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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741주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel