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EPC2302

Name: EPC EPC2302
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2302
Price: 12570 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

65-EPC2302

제조업체 번호:

EPC2302

제조업체:

EPC

설명:

GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

라이프사이클:

Mouser의 신규

데이터시트:

EPC2302 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	EPC
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	133 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, 6 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	23 nC
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
채널 모드:	Enhancement
상표명:	eGaN FET
기술:	GaN
브랜드:	EPC
구성:	Single
습도에 민감:	Yes
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	Power Transistor
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	31.300 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

EPC2302 데이터시트 (PDF)

규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 말레이시아
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN^® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance R_DS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) V_DS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.

주요 제품

EPC

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor 에 대해

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor 에 대해

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor 에 대해

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구매 가능 정보

재고:: 0

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주문 중:: 2,757

예상 2026-11-06

48,000

6,000

예상 2027-01-13

12,000

예상 2027-06-14

30,000

예상 2027-07-27
공장 리드 타임:: 35

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩12,570.1	₩12,570
	₩6,961.4	₩69,614
	₩6,397.8	₩639,780
	₩6,285	₩3,142,500
	₩5,594.5	₩5,594,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩5,087.2	₩15,261,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

EPC2302

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제조업체: EPC

설명: GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

사양

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데이터시트

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추가 정보

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

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GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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