eMode 질화갈륨 FET

Nexperia e-mode 질화갈륨 FET는 뛰어난 스위칭 성능과 함께 100~650V의 전압 범위를 제공합니다. 이 질화갈륨 FET는 낮은 QC 및 QOSS 값을 통해 빠른 전환 능력을 제공하여 탁월한 전력 효율성을 제공합니다.

결과: 18
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
기술
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
데이터시트
1,732재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
데이터시트
238재고 상태
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
데이터시트
240재고 상태
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
데이터시트
249재고 상태
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
데이터시트
160재고 상태
90예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
데이터시트
220재고 상태
30예상 2026-12-17
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
데이터시트
240재고 상태
10예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
데이터시트
2,405재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
데이터시트
2,363재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
데이터시트
1,885재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
데이터시트
2,329재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
데이터시트
1,861재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
데이터시트
2,297재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
데이터시트
862재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
데이터시트
2,061재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
데이터시트
2,488재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
데이터시트
566재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
데이터시트
37재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN