650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET

Toshiba 650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치에서 작동하도록 설계되었습니다. 이 N-채널 MOSFET은 정전용량이 낮은 고속 스위칭 특성이 특징입니다.  650V DTMOS-VI 초접합 MOSFET 실리콘 MOSFET은 0.092Ω~0.175Ω의 낮은 드레인 소스 온 상태 저항을 제공합니다. 이 장치는 10V의 드레인-소스 전압이 특징입니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI
데이터시트
7,156재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
데이터시트
4,670재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
데이터시트
76재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
데이터시트
96재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
데이터시트
59예상 2026-11-25
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
데이터시트
리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET MOSFET 650V 210mOhms DTMOS-VI
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel