CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET는 전력 밀도가 높고, 효율성이 뛰어나며, 신뢰도가 향상되었습니다. 세분화된 포트폴리오는 TO-247-3핀, TO-247-4핀 및 D2PAK-7핀 패키지로 제공되는 1200V SiC MOSFET, 8.7mΩ ~ 160mΩ의 RDS(on) 범위와 +25°C에서 최대 17A ~ 205A의 ID를 특징으로 합니다. 고출력 밀도, 뛰어난 효율성, 양방향 충전 능력 및 시스템 비용의 상당한 절감으로 인해 Infineon Technologies 1200V 자동차용 CoolSiC™ MOSFET 모듈은 온보드 충전기 및 DC-DC 애플리케이션에 이상적인 선택입니다. TO- 및 SMD 구성 요소는 최적화된 스위칭 성능을 위해 켈빈 소스 핀과 함께 제공됩니다.

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Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
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MOSFETs Si
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE
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MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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748재고 상태
3,000주문 중
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
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732재고 상태
6,000주문 중
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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458재고 상태
750예상 2026-09-17
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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2,122재고 상태
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
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195재고 상태
480예상 2026-11-12
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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44재고 상태
2,000주문 중
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
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20재고 상태
3,750주문 중
MouseReel 사용가능
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
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96재고 상태
750주문 중
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SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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108재고 상태
240예상 2027-04-29
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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121재고 상태
240예상 2026-10-08
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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138재고 상태
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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26재고 상태
240예상 2026-12-10
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE
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3,500예상 2026-09-24
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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788주문 중
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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2,000주문 중
MouseReel 사용가능
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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452주문 중
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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비재고 리드 타임 52 주
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SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE
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비재고 리드 타임 52 주
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
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비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel