MRF1K50NR5

NXP Semiconductors
841-MRF1K50NR5
MRF1K50NR5

제조업체:

설명:
RF MOSFET 트랜지스터 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

라이프사이클:
수명 종료:
제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

제품 속성 속성 값 속성 선택
NXP
제품 카테고리: RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:  
N-Channel
Si
36 A
133 V
1.8 MHz to 500 MHz
23 dB
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel
Cut Tape
브랜드: NXP Semiconductors
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 33.5 S
습도에 민감: Yes
채널 수: 2 Channel
Pd - 전력 발산: 2.941 kW
제품 유형: RF MOSFET Transistors
시리즈: MRF1K50N
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: MOSFETs
타입: RF Power MOSFET
Vgs - 게이트 소스 전압: + 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압: 2.7 V
부품번호 별칭: 935318822578
단위 중량: 5.281 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

EOL

규정 준수 코드
KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
말레이시아
어셈블리 원산지:
말레이시아
COD(확산 공정 국가):
미국
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

MRF1K50N 1500W RF 전력 트랜지스터

NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 1,500W RF 전력 트랜지스터는 높은 RF 출력, 우수한 견고성 및 열 성능을 결합한 소자입니다. 이 LDMOS 장치들은 세라믹 MRF1K50H과 비교하여 최대 30% 낮은 열 저항을 제공하는, 성형 플라스틱 패키지가 특징입니다. NXP의 플라스틱 패키지 기술은 엄격한 허용 오차와 더 나은 솔더 연결 덕분에 간소화된 증폭기 제조성이 있는 반면, RF 트랜지스터에서 성능을 더욱 추출하도록 돕습니다.

NXP MRF1K50N 및 MRF1K50GNR5 RF 전력 트랜짓스터는 50V에서 1.50kW CW를 제공하도록 고안된 제품이며 고출력 RF 증폭기 트랜지스터 수를 줄입니다. 이 장치들의 입력 및 출력 설계는 1.8~500MHz의 폭넓은 주파수 범위 사용을 허용합니다.
자세히 알아보기

재고 상태: 28

재고:
28 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
15 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩558,027.6 ₩558,028
₩481,759.2 ₩4,817,592
₩462,711.6 ₩11,567,790
전체 릴(50의 배수로 주문)
₩451,230 ₩22,561,500
100 견적

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.