TRENCHSTOP™ 5 H5(고속 5) IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5(고속 5) IGBT는 고속이며 30kHz보다 빠른 애플리케이션 스위칭을 위한 최고의 효율성을 제공하도록 설계되었습니다. 고속 5 IGBT는 TRENCHSTOP™ 5 기술이 특징이며 RAPID 1의 고속 및 소프트 역병렬 다이오드와 함께 패키징됩니다. H5 IGBT는 하드 스위칭 및 공진 토폴로지에서 동급 최고의 효율을 제공하며 이전 세대의 IGBT에 대한 플러그 앤 플레이 대체품입니다. 일반적으로 UPS, 용접 컨버터, 태양열 스트링 인버터, 중간부터 높은 범위의 스위칭 주파수 컨버터 등에 사용됩니다.

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Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
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1,425재고 상태
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: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
1,270재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
615재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
279재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
382재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
396재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 40 A 3-level IGBT module
데이터시트
8재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
480재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 240
배수: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4