STripFET III™ 전력 MOSFET

STMicroelectronics STripFET III™ 전력 MOSFET은 새로운 게이트 구조의 STMicroelectronics 독점 STripFET™ 기술의 혜택을 받는 강화 모드 MOSFET입니다. STripFET™ 전력 MOSFET은 높은 전류와 낮은 RDS(on)을 제공합니다. 이 STripFET™ 전력 MOSFET은 전도 손실을 낮추기 위해 특정 온 저항을 향상시켰습니다. 이 장치에 사용되는 평면 기술은 고효율, 저전압 시스템에 이상적입니다.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III
데이터시트
4,779재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
데이터시트
4,641재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III
데이터시트
3,416재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.8 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
데이터시트
348재고 상태
1,000예상 2027-02-19
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
데이터시트
478재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement STripFET Tube